[发明专利]字线偏置电路及存储器有效

专利信息
申请号: 201210564405.9 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103021447A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 偏置 电路 存储器
【权利要求书】:

1.一种字线偏置电路,包括第一偏置电压输出端和第二偏置电压输出端,其特征在于,还包括:

电压侦测单元,适于侦测所述第一偏置电压输出端的电压,以输出控制信号;

驱动单元,适于接收所述控制信号,输出低压驱动信号;

第一状态控制单元,适于接收第一使能信号和所述低压驱动信号,在所述第一使能信号为有效信号时,由所述低压驱动信号驱动电源电压输出至所述第二偏置电压输出端;

第一电平移位单元,适于将所述低压驱动信号进行转换,输出高压驱动信号;

第二状态控制单元,适于接收第二使能信号和所述高压驱动信号,在所述第二使能信号为有效信号时,由所述高压驱动信号驱动目标电压输出至所述第二偏置电压输出端,所述第二使能信号与所述第一使能信号互为反相信号,所述目标电压高于所述电源电压;

比较单元,适于将所述第二偏置电压输出端的电压和基准电压进行比较,输出比较结果,所述基准电压低于所述电源电压;

第二电平移位单元,适于根据所述比较结果输出所述第一使能信号和所述第二使能信号。

2.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第一状态控制单元为第一三态门,所述第一三态门的输入端输入所述低压驱动信号、使能端输入所述第一使能信号、输出端与所述第二偏置电压输出端相连。

3.根据权利要求2所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第一状态控制单元的驱动电源为所述电源电压。

4.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第一电平移位单元的第一驱动电源为所述目标电压、第二驱动电源为零电压。

5.根据权利要求4所述的字线偏置电路,其特征在于,所述目标电压由第二电荷泵单元提供。

6.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第二状态控制单元为第二三态门,所述第二三态门的输入端输入所述高压驱动信号、使能端输入所述第二使能信号、输出端与所述第二偏置电压输出端相连。

7.根据权利要求6所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第二状态控制单元的驱动电源为所述目标电压。

8.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述比较单元包括比较器,其正端与所述第二偏置电压输出端连接,负端输入所述基准电压。

9.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述基准电压由带隙基准源提供。

10.根据权利要求1所述的字线偏置电路,其特征在于,所述第二电平移位单元的第一驱动电源为所述目标电压、第二驱动电源为零电压。

11.一种存储器,包括存储单元阵列,其特征在于,还包括权利要求1至10任一项所述的字线偏置电路,所述字线偏置电路用于向所述存储单元阵列的字线提供第一偏置电压和第二偏置电压。

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