[发明专利]一种半导体用石英的表面处理方法有效
申请号: | 201210564479.2 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103011611B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 何桥;贺贤汉;陈煜;廖宗杰;尚玉帝 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00;B24C1/06 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙)31268 | 代理人: | 赵青 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 石英 表面 处理 方法 | ||
1.一种石英表面处理方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
a)将石英进行喷砂处理,获得表面平均粗糙度Ra为2~10μm的石英;
b)将步骤a)获得的石英进行酸蚀刻,获得表面无尖峰且蚀刻凹槽深宽度均一的石英;
c)采用水对步骤b)获得的石英进行冲淋后采用有机溶剂浸泡;
d)采用酸溶液对步骤c)获得的石英进行浸泡;
e)采用水对步骤c)获得的石英进行冲淋后进行超声处理。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,采用喷砂机进行所述喷砂处理,所述喷砂机的喷嘴与石英表面呈30~60度,距离石英表面距离为10~30cm;且所述喷砂处理是选用下组的砂料进行喷砂:粒径为24#,46#、或80#的白刚玉砂料。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述酸蚀刻采用的酸蚀刻液由氢氟酸、盐酸、乙酸、烷基酚聚氧乙烯醚、无盐型两性咪唑啉、吐温80中的两种或三种以上与纯水混合而成,所述酸蚀刻液温度20~50℃,石英浸入所述酸蚀刻液内10~60min。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述酸蚀刻液由氢氟酸、乙酸、无盐型两性咪唑啉、吐温80、纯水混合而成,其中,所选氢氟酸的质量浓度为49%、乙酸的质量浓度为70%、无盐型两性咪唑啉的质量浓度为99%、吐温80的质量浓度为99%,纯水电阻率为16M,所述酸蚀刻液中各组分的体积份数为:
氢氟酸:10~50体积份;乙酸:10~40体积份;无盐型两性咪唑啉:0.02~2体积份:吐温80:0.02~2体积份;纯水:30~80体积份。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述酸蚀刻液由氢氟酸、盐酸、烷基酚聚氧乙烯醚、吐温80、纯水混合而成,其中,所选氢氟酸的质量浓度为49%、盐酸的质量浓度为37%、烷基酚聚氧乙烯醚的质量浓度为99%、吐温80的质量浓度为99%,纯水电阻率为16M,所述酸蚀刻液中各组分的体积份数为:
氢氟酸:10~30体积份;盐酸:10~40体积份;烷基酚聚氧乙烯醚:0.02~2体积份;吐温80:0.02~2体积份;纯水:30~60体积份。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤c)采用的水的电阻率为16~18M,所述有机溶剂为异丙醇、无水乙醇、丙酮中的任意一种或两种以上的混合溶液,所述浸泡的时间为5~10min。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤c)采用有机溶液浸泡后,将石英在80~120℃条件下干燥5~10min。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤d)中酸溶液为硝酸、氢氟酸、纯水的混合溶液,酸溶液的温度为10~80℃;浸泡时间1~10min。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所选氢氟酸的质量浓度为49%、硝酸的质量浓度为70%,纯水电阻率为16-18M,所述酸溶液中各组分的体积份数为:
氢氟酸:1~5体积份;硝酸:1~5体积份;纯水:2~8体积份。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤e)使用纯水进行冲淋,再放入电阻为16~18M的超声波槽内震荡,所述的超声波频率为80KHz,120KHz,132KHz,196KHz的任意2种频率并联方式,超声波震荡时间10~30min。
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