[发明专利]像素结构及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种像素结构，包括:

一第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，该第一源极与该第一漏极接触该第一半导体层；

一第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二半导体层，该第二源极与该第二漏极接触该第二半导体层，且该第二栅极具有一第一侧边面对该第一栅极，以及一第二侧边远离该第一栅极，其中，该第二栅极连接该第一源极，该第二半导体层具有一第一突出部与一第二突出部沿一第一方向分别突出于该第二栅极的该第一侧边与该第二侧边，该第一突出部的面积实质上小于该第二突出部的面积，且该第二半导体层不与该第一半导体层接触；以及

一储存电容，具有一上电极、一下电极与一夹设于该上电极与该下电极间的绝缘层，其中，该上电极由该第二源极与部分该第二半导体层所构成，该下电极由部分该第二栅极所构成，且该绝缘层更设置于该第一薄膜晶体管的该第一栅极与该第一半导体层的间以及设置于该第二薄膜晶体管的该第二栅极与该第二半导体层之间。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一突出部具有一第一长度与一第一宽度，该第二突出部具有一第二长度与一第二宽度，该第一突出部的该第一宽度实质上等于该第二突出部的该第二宽度，且该第一突出部突出于该第二栅极的该第一侧边的该第一长度实质上小于该第二突出部突出于该第二栅极的该第二侧边的该第二长度。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第一长度实质上介于1微米与3微米之间，且该第二长度实质上介于1微米与5微米之间。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一薄膜晶体管、该第二薄膜晶体管与该储存电容皆还包括一介电层，设置于该第一薄膜晶体管的该绝缘层上、于该第二薄膜晶体管的该绝缘层上以及于该储存电容的该绝缘层上，其中，该介电层具有多个个开口，分别暴露出该第一薄膜晶体管的部分该第一半导体层、该第二薄膜晶体管的部分该第二半导体层与该储存电容的部分该第二半导体层，以使得该第一源极与该第一漏极经由部分该等开口与该第一半导体层接触以及使得该第二源极与该第二漏极经由部分该等开口与该第二半导体层接触。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一薄膜晶体管的该第一栅极连接至一栅极线，以及该第一漏极连接至一数据线。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该第二薄膜晶体管的该第二漏极连接至一电源线。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，还包括一光电转换元件，与该第二薄膜晶体管的该第二源极连接。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一半导体层与该第二半导体层的材料包括氧化物半导体。

9.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；

一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极；

一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；

一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；

一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及

一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层重叠于该电容补偿结构的该第一侧边具有一重叠区，该重叠区垂直投影于该基板上具有一长度与一宽度，该长度实质上介于1微米至5微米之间。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极具有一第二延伸部，以及一连接至该第二延伸部的第二本体部。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一延伸部实质上平行于该第二延伸部，且该第一延伸部与该第二延伸部垂直投影于该基板上具有一间隔，其中该间隔实质上介于6微米与8微米之间。