[发明专利]一种消除旁瓣图形的方法有效
| 申请号： | 201210564606.9 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103050383B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 图形 方法 | ||
1.一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一个衬底，在所述衬底上依次形成目标材料层、硬掩膜层、第一底部抗反射层和第一光刻胶；
步骤S02：经曝光和光刻，用第一掩膜版图形在所述硬掩膜层上定义出旁瓣图形区域；
步骤S03：在所述硬掩膜层上依次涂布第二底部抗反射层和第二光刻胶；
步骤S04：经曝光，用第二掩膜版图形在所述第二光刻胶中形成目标图形和旁瓣图案；
步骤S05：经刻蚀，用所述第二光刻胶中的目标图形定义出所述目标材料层的图形，而所述第二光刻胶中的旁瓣图案被所述硬掩膜层的旁瓣图形区域阻挡住；
步骤S06：去除所述硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第一掩膜版图形包含旁瓣图形区域的图案。
3.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，步骤S02中，所述旁瓣图形区域可以利用光学仿真方法进行辅助确认。
4.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述目标材料层与所述硬掩膜层的刻蚀选择比大于10。
5.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第二光刻胶的材料为248nm化学光放大光刻胶或193nm化学光放大光刻胶。
6.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述硬掩膜层材料为氮化钛。
7.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第二掩膜版图形包含目标图形和旁瓣图形。
8.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第一掩膜版为二进制掩膜版。
9.根据权利要求8所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第一掩膜版为暗场掩膜版。
10.根据权利要求1所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第二掩膜版为相移掩膜版。
11.根据权利要求10所述的一种消除旁瓣图形的方法，其特征在于，所述第二掩膜版为暗场掩膜版。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210564606.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微型精密原位纳米压痕及刻划测试装置
- 下一篇：冰箱
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
