[发明专利]一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，

通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，包括：

依次形成绝缘层薄膜和半导体薄膜，并在半导体薄膜上涂敷光刻胶；

采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的光刻胶完全去除部分、位于所述栅极上方的光刻胶完全保留部分、位于其他区域的光刻胶半保留部分；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除部分下方的部分绝缘层薄膜和部分半导体薄膜，形成所述过孔；

采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，形成所述包括有源层的图案；

采用剥离工艺，去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，包括：

形成绝缘层薄膜和半导体薄膜，并涂敷光刻胶；

采用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的光刻胶完全去除部分，位于所述栅极上方的第一光刻胶完全保留部分，位于所述预设置过孔区域周边的第二光刻胶完全保留部分，位于其他区域的光刻胶半保留部分，其中，所述第一光刻胶完全保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分都为光刻胶完全保留部分；

采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除部分下方的部分绝缘层薄膜和部分半导体薄膜，形成所述过孔；

采用灰化工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，形成所述包括有源层的图案；

采用剥离工艺，去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶完全保留部分的宽度为0.5～2um；

所述采用灰化工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分，包括：采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分的光刻胶；

所述采用刻蚀工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，包括：采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分下方的部分半导体薄膜；

所述采用剥离工艺，去除剩余的光刻胶，包括：采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶完全保留部分的光刻胶。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶完全保留部分的宽度为1～5um，；

所述采用灰化工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分，包括：采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

所述采用刻蚀工艺，至少去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜，包括：采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶半保留部分下方的部分半导体薄膜；

所述采用剥离工艺，去除剩余的光刻胶，包括：采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶完全保留部分和所述第二光刻胶完全保留部分的光刻胶。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述半色调或灰色调掩膜板中，所述光刻胶完全去除部分对应的区域为透光层，所述光刻胶半保留部分对应的区域为半透光层，所述光刻胶完全保留部分对应的区域为不透光层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述不透光层的材料为铬。

8.根据权利要求2～5任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶半保留部分的光刻胶厚度为。