[发明专利]一种阻变存储器制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成下电极；

在所述下电极上形成阻变层；

在所述阻变层上形成上电极，获得阻变存储器；

在所述阻变存储器上施加预定电压，所述预定电压为使所述阻变存储器由高阻态转变为低阻态的电压；

对所述阻变存储器执行退火工艺，以使在所述阻变存储器上施加所述预定电压时所述阻变存储器内的弱导电通道减少。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述下电极上形成阻变层，包括：

在所述下电极上形成厚度大于阈值的阻变层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阈值为10nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述阻变存储器上施加预定电压，包括：

将所述下电极接地，在所述上电极上施加所述预定电压的电压脉冲。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电压脉冲的幅度大小为2V~4V，脉冲宽度范围为500ns~1μs。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为500°～600°C，退火时间为10min~20min。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成下电极，包括：

在所述衬底表面上形成平行排列的多条下电极条。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述阻变层上形成上电极，包括：

在所述阻变层表面上形成平行排列的多条上电极条，且所述上电极条的延伸方向与所述下电极条的延伸方向交叉。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述上电极条与所述下电极条呈十字交叉。