[发明专利]一种集成功率晶体管的金属布局结构及其方法

权利要求书

1.一种集成功率晶体管的金属布局结构，包括：

第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中

所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层；

所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。

2.如权利要求1所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第二金属层包括：第一象棋形平板和第二象棋形平板，所述第一和第二象棋形平板各包括穿孔，所述穿孔内设置有岛。

3.如权利要求2所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第三金属层包括：第一平板和第二平板。

4.如权利要求3所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第三金属层的第一平板直接连接至其下方的第二金属层的第一象棋形平板的岛，并通过该第一平板与第二平板的边界连接至第二金属层的第二象棋形平板；

所述第三金属层的第二平板直接连接至其下方的第二金属层的第二象棋形平板的岛，并通过该第二平板与第一平板的边界连接至第二金属层的第一象棋形平板。

5.如权利要求3所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第一平板和第二平板直接连接至所述集成功率晶体管的外部引脚。

6.如权利要求2所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第一金属层包括并联的条形，所述条形分别连接至单个功率晶体管的源极区或漏极区。

7.如权利要求6所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第二金属层的第一象棋形平板连接至第一金属层条形的漏极电势，所述第二金属层的第一象棋形平板的岛连接至第一金属层条形的源极电势；

所述第二金属层的第二象棋形平板连接至第一金属层条形的源极电势，所述第二金属层的第二象棋形平板的岛连接至第一金属层条形的漏极电势。

8.如权利要求1所述的集成功率晶体管的金属布局结构，其中所述第三金属层包括封装层面的厚金属层。

9.一种用于集成功率晶体管金属布局结构的方法，包括：

形成第一金属层；

形成第二金属层；

通过通孔将第一金属层和第二金属层进行连接；

形成第三金属层；

通过超级通孔将第二金属层和第三金属层进行连接。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一金属层包括并联的条形，所述条形分别连接至单个功率晶体管的源极区或漏极区；所述第二金属层包括：第一象棋形平板和第二象棋形平板，其中所述第一和第二象棋形平板均包括穿孔，穿孔内设置有岛；所述第三金属层包括第一平板和第二平板；其中

所述“通过通孔将第一金属层和第二金属层进行连接”包括：将第二金属层的第一象棋形平板连接至第一金属层条形的漏极区，将第二金属层第一象棋形平板的岛连接至第一金属层条形的源极区；将第二金属层的第二象棋形平板连接至第一金属层条形的源极区，将第二金属层第二象棋形平板的岛连接至第一金属层条形的漏极区；

所述“通过超级通孔将第二金属层和第三金属层进行连接”包括：将第三金属层的第一平板直接连接至第二金属层的第一象棋形平板的岛，将第三金属层的第一平板通过该第一平板与第二平板的边界连接至第二金属层的第二象棋形平板；将第三金属层的第二平板直接连接至第二金属层的第二象棋形平板的岛，将第三金属层的第二平板通过该第二平板与第一平板的边界连接至第二金属层的第一象棋形平板。