[发明专利]紫外选择性硅雪崩光电探测芯片

权利要求书

1.一种紫外选择性硅雪崩探测芯片，包括位于P型硅衬底（1）上的N^-型外延层（2）和位于N^-型外延层（2）上的芯片阳极（7）、芯片阴极（8）及氮化硅钝化层（9），以及位于N^-型外延层（2）中部平面下方与P⁺型光吸收层（4）重叠的N型层（3），其特征在于，P⁺光吸收层（4）以小于200 nm的厚度相连N型层（3），N+欧姆接触层（5）对称于P⁺光吸收层（4），在N+欧姆接触层（5）的两边，设有高掺杂深扩散区穿通整个N^-型外延层（2），使雪崩区之外的整个芯片处于同一电位的P⁺深扩散区（6），该P⁺深扩散区（6）通过N^-型外延层（2）上端平面设置的氮化硅钝化层（9），经芯片阳极（7）、芯片阴极（8）与N+欧姆接触层（5）互连。

2.如权利要求1所述的紫外选择性硅雪崩探测芯片，其特征在于，P⁺深扩散区（6）通过芯片阳极（7）与N+欧姆接触层（5）互连，芯片阳极（7）和芯片阴极（8）连接在电源之间。

3.如权利要求1所述的紫外选择性硅雪崩探测芯片，其特征在于，氮化硅钝化层（9）两个竖向孔相连位于所述N^-型外延层（2）平面下方的N+欧姆接触层（5）和P⁺深扩散区（6）。

4.如权利要求1所述的紫外选择性硅雪崩探测芯片，其特征在于，N+欧姆接触层（5）位于氮化硅钝化层（9）下方与所述P⁺型光吸收层（4）相邻。

5.如权利要求1所述的紫外选择性硅雪崩探测芯片，其特征在于，在p型硅衬底（1）上生长电阻率为1000Ω·cm，厚度为2μm，接近本征的N^—硅单晶外延层（2）。

6.如权利要求1所述的紫外选择性硅雪崩探测芯片，其特征在于， N型层（3）和厚度为小于200nm的P⁺光吸收层（4）制作在外延层（2）上方平面下的的中部。