[发明专利]一种微波磁控管封接合金材料及其制备方法

权利要求书

1.一种微波磁控管封接合金材料，其特征在于其组分及各组分的质量百分比为：Ag：57~65.5%，In：11~13%，Cu：22~24%，Ge：1~2%，Co：0.1~1%，Ni：0.2~2%，Nd：0.1~0.5%，Yb：0.1~0.5%。

2.权利要求1所述的微波磁控管封接合金材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

（1）将Cu、Co、Ni放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至1~0.1Pa，再加热到1200~1350℃，然后冷却到室温，制成铜钴镍中间合金；

（2）把铜钴镍中间合金压延成厚度为0.1~0.5mm的板带，通过板带折叠弯曲把In组分包裹住，再与Ag、Ge、Nd、Yb组分一起置入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.4~0.04Pa，再加热到1000~1200℃；

（3）待Ag、Cu、In、Ge、Co、Nd、Ni、Yb在真空熔炼炉内熔融后，降温至850~950℃，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，将定型模具从真空炉内拿出，得到制作本封接材料所需的铸锭；

（4）把得到的铸锭经轧制压延、热处理，厚度达到0.04~0.2 mm，经修整冲压至所需形状即可。