[发明专利]超薄纳米片半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种超薄纳米片半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将第一高沸点有机溶剂加热，得到第一溶液；

（2）将A的前驱源A_nB_m和R的前驱源R_jV_k在第二高沸点有机溶剂中加热溶解，得到第二溶液，其中A为金属元素Bi、Mo、W、Sb及Cu中的一种，B为苯基、羰基、环戊二烯基、乙酰丙酮、硝酸根及卤族元素Cl和Br中的一种，R为氧族元素S、Se及Te中的一种，V为苯基或苄基，n=1，1≤m≤6，1≤j≤2，k=2；

（3）将所述第一溶液和所述第二溶液混合后搅拌并保温一段时间，即得到超薄纳米片半导体材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中加热的温度为200～320℃，且在加热的过程中在惰性气体保护下搅拌所述第一高沸点有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一高沸点有机溶剂为油胺、油酸、二苄胺、二苄醚、十八烯和二异辛胺中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶液中A的前驱源的浓度为0.01～1mol/L，所述第二溶液中R的前驱源的浓度为0.02～2mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二高沸点有机溶剂为油胺、油酸、二苄胺、二苄醚、十八烯和二异辛胺中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中加热的温度为50～200℃，且在加热的过程中在惰性气体保护下搅拌所述第二高沸点有机溶剂。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一高沸点有机溶剂和所述第二高沸点有机溶剂的体积比为3～50:1。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中保温的温度为200～320℃，搅拌的时间为1～180min。

9.一种由权利要求1～8任一项所述方法制备的超薄纳米片半导体材料，其特征在于，所述超薄纳米片半导体材料的厚度为1～50nm。

10.权利要求9所述的超薄纳米片半导体材料在太阳能电池或太阳能集热装置中的应用。