[发明专利]噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统有效

专利信息
申请号: 201210568550.4 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN102970260A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 肖田忠;柳洋;冯量 申请(专利权)人: 京信通信系统(中国)有限公司
主分类号: H04L25/03 分类号: H04L25/03;H04B7/15
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭红丽
地址: 510663 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 噪声 抑制 方法 装置 lte 数字 微波 射频 覆盖 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统。

背景技术

移动通信系统主要由三部分组成:移动台、无线接入网以及核心网。其中,无线接入网包括无线网络控制器和基站。其中,基站的主要作用在于对移动通信信号的接收和发送。一般情况下在某个区域内,多个基站相互组成一个蜂窝状的网络,通过控制基站与基站之间的信号相互发送和接收来达到移动通信信号的传送,这个范围内的区域就是我们常说的网络覆盖面。而基站不能覆盖的地区就是移动通信信号的盲区。在实际的移动通信系统中,由于地理环境、天气变化或基站覆盖范围调整等原因,目标区域中难免会存在信号弱覆盖区,甚至还会出现信号覆盖盲区,这对于要求服务质量日益提高的移动通信系统是一个普遍的难题。

为了解决信号弱覆盖区以及信号覆盖盲区的问题,目前在3GPP(The 3rdGeneration Partnership Project,第三代合作伙伴计划)协议LTE(Long TermEvolution,长期演进)Rel-8版本中引入了一种新的延伸覆盖技术,称为中继Relay技术,该技术中的核心设备称为RN(Relay Node,中继节点)。根据不同的功能定位,LTE Rel-8版本定义了三种类型的Relay技术,分别是层1 Relay(L1 Relay)、层2 Relay(L2 Relay)和层3 Relay(L3 Relay)。其中,层1 Relay不会对信号进行解码,只是直接将信号进行放大和转发,不能区分出有用信号与底部噪声(简称为底噪),因此,在放大信号的同时也会抬升底噪,因此虽然能够提升覆盖范围,且具有设备简单、成本和引入的时延低的优点,但会抬升施主基站(即发送信号的基站)底噪,从而严重影响上行覆盖和上行吞吐率而不能大规模应用。而层2 Relay与层3 Relay虽然不会抬升施主基站底噪,但已被证明存在效率低、时延较大、设备复杂和成本较高等缺点。

目前,LTE数字微波射频拉远覆盖系统主要采用层1 Relay,其上行方向将接收到的信号进行放大并转发至LTE基站,下行方向将LTE基站发出的信号进行放大使之覆盖目标区域,从而扩大了LTE基站的覆盖范围,消除了信号弱覆盖区和信号覆盖盲区,解决了室内或特殊场景的覆盖问题,但是其仍然存在基站底噪被抬升的缺点,并严重影响基站的上行接收灵敏度。

发明内容

本发明实施例提供一种噪声抑制方法、装置及LTE数字微波射频拉远覆盖系统,用以解决现有技术中的LTE数字微波射频拉远覆盖系统存在的基站底噪被抬升的问题。

本发明实施例采用以下技术方案:

一种噪声抑制方法,应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统,包括:

上行基带处理器通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换,得到多个数字子频带信号;通过分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理,得到多个子频带基带信号;分别比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值;对载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理,得到相应的数字射频信号并发送给光收发器;以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。

一种噪声抑制设备,应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统,包括:

模数转换单元,用于通过对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换,得到多个数字子频带信号;下变频单元,用于通过分别对模数转换单元得到的各数字子频带信号执行数字下变频处理,得到多个子频带基带信号;比较单元,用于分别比较下变频单元得到的各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值;上变频单元,用于对比较单元比较得到的载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号执行数字上变频处理,得到相应的数字射频信号,并发送给光收发器;关断单元,用于关断比较单元比较得到的载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙。

一种上行基带处理器,包括模数A/D转换器、数字下变频器DDC和数字上变频器DUC,该上行基带处理器应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统,且该上行基带处理器还包括:载噪比Ec/Io判决电路,其中:

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