[发明专利]用于半导体元件的超接面结构及其制程有效
| 申请号： | 201210568724.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103903965A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张崇健 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 元件 超接面 结构 及其 | ||
1.一种用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，包含：
(a)提供一硅基板，并于该硅基板上形成一第一导电型磊晶层；
(b)于该第一导电型磊晶层上制作一掩模层；
(c)布植一高浓度第二导电型离子于未被掩模层覆盖的第一导电型磊晶层上；
(d)移除该掩模层周缘部份；
(e)布植一低浓度第二导电型离子于未被掩模层覆盖的第一导电型磊晶层上；
(f)移除该掩模层及在所得结构上形成一第一导电型磊晶覆盖层；
(g)重复上述步骤(b)至(f)，以形成多个高浓度第二导电型离子层及多个低浓度第二导电型离子层；及
(h)在所得结构上形成一场氧化层及进行热驱入，以使各层的高浓度第二导电型离子层及低浓度第二导电型离子层连接在一起，在第一导电型磊晶层中形成高浓度第二导电型柱及低浓度第二导电型侧壁。
2.根据权利要求1的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，第一导电型为N型，第二导电型为P型。
3.根据权利要求2的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，该掩模层包含外侧掩模层及中心点掩模层。
4.根据权利要求3的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，在步骤(d)之后还包含：
(d1)移除中心点掩模层。
5.根据权利要求2的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，该掩模层空心缺口图案。
6.根据权利要求1的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，第一导电型为P型，第二导电型为N型。
7.根据权利要求6的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，该掩模层为封闭图形图案。
8.根据权利要求7的用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，该掩模层为大体圆形图案。
9.一种用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，包含：
一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；
多个第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及
多个第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。
10.根据权利要求9的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，第一导电型为N型，第二导电型为P型。
11.根据权利要求9的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，第一导电型为P型，第二导电型为N型。
12.根据权利要求9的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体、或超接面二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于节能元件控股有限公司，未经节能元件控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210568724.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高功率锂离子电池极片及其制备工艺
- 下一篇：电动车用电池盒及电池装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
