[发明专利]包括安装在DCB衬底上的分立器件的模块及制造模块的方法

权利要求书

1.一种模块，包括：

直接铜键合（DCB）衬底；以及

安装在所述DCB衬底上的分立器件，其中，所述分立器件包括：

引线框架；

安装在所述引线框架上的半导体芯片；以及

覆盖所述半导体芯片的封装材料。

2.根据权利要求1所述的模块，还包括：

金属载体，其中，所述DCB衬底安装在所述金属载体上；以及

壳体，其中，所述壳体布置在所述金属载体上并且容纳所述DCB衬底和所述分立器件。

3.根据权利要求2所述的模块，还包括金属夹，其中，所述金属夹的一端附接至所述DCB衬底，并且所述金属夹的另一端布置在所述壳体外部。

4.根据权利要求3所述的模块，其中，所述金属夹的布置在所述壳体外部的端部是外部接触元件。

5.根据权利要求1所述的模块，其中，所述半导体芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，其中，在所述第一表面上布置有第一电极，并且在所述第二表面上布置有第二电极。

6.根据权利要求1所述的模块，其中，所述半导体芯片包括由碳化硅制成的衬底。

7.根据权利要求1所述的模块，还包括安装在所述DCB衬底上的另一半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的模块，其中，所述半导体芯片包括由碳化硅制成的衬底，并且所述另一半导体芯片包括由硅制成的衬底。

9.根据权利要求1所述的模块，还包括嵌入所述分立器件的硅凝胶层。

10.根据权利要求9所述的模块，还包括沉积在所述硅凝胶层上的环氧树脂层。

11.根据权利要求1所述的模块，还包括安装在所述DCB衬底上的另一分立器件。

12.根据权利要求1所述的模块，其中，所述DCB衬底包括由两个铜层包围的陶瓷层。

13.根据权利要求1所述的模块，其中，所述半导体芯片是功率MOSFET、IGBT、JFET以及功率双极晶体管中的一者。

14.根据权利要求1所述的模块，其中，所述分立器件是表面安装器件（SMD）。

15.一种模块，包括：

金属载体；

安装在所述金属载体上的直接铜键合（DCB）衬底；

安装在所述DCB衬底上的表面安装器件（SMD）；

壳体，其中，所述壳体布置在所述金属载体上并且容纳所述DCB衬底和所述SMD；以及

至少一个金属夹，其中，所述至少一个金属夹的一端附接至所述DCB衬底，并且所述至少一个金属夹的另一端布置在所述壳体外部。

16.一种用于制造模块的方法，所述方法包括以下步骤：

设置包括半导体芯片的分立器件；

将所述分立器件安装在直接铜键合（DCB）衬底上；以及

将至少一个金属夹安装在所述DCB衬底上，其中，所述至少一个金属夹的一部分是所述模块的外部接触元件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述分立器件包括电端子，所述DCB衬底包括结构化铜层，并且将所述分立器件安装在所述DCB衬底上包括将所述分立器件的所述电端子附接至所述DCB衬底的所述结构化铜层。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括：

将所述DCB衬底安装在金属载体上；以及

在所述金属载体上放置壳体，其中，所述壳体容纳所述DCB衬底和所述分立器件。

19.根据权利要求16所述的方法，还包括在将所述分立器件安装在所述DCB衬底上之前制造所述分立器件。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，制造所述分立器件包括：

设置引线框架；

将所述半导体芯片安装在所述引线框架上；以及

用封装材料覆盖所述半导体芯片。

21.根据权利要求16所述的方法，还包括在将所述分立器件安装在所述DCB衬底上之后用硅凝胶覆盖所述分立器件。

22.根据权利要求21所述的方法，还包括在所述硅凝胶层上沉积环氧树脂。