[发明专利]一种用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极

权利要求书

1.一种用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，其包括有硅衬底、制作于硅衬底上，并能将电信号加载到电吸收调制激光器的调制器和激光器上的金属电极层、设于金属电极层上方的电吸收调制激光器以及设于金属电极层与电吸收调制激光器之间，且用于实现电吸收调制激光器与金属电极层的电学互联与垂直方向上的光学对准的焊接凸点层，该硅衬底为硅基波导结构的硅衬底。

2.如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述硅衬底的电阻率范围为600-6000欧姆·厘米。

3.如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述金属电极层为单元结构或级联结构，该级联结构为多个单元结构的横向有限重复结构。

4.如权利要求3所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述金属电极层的单元结构包括：

对准标记； 

电吸收调制器电极，其包含焊盘区电极和与该焊盘区电极连接的过渡电极；

高频传输电极，该高频传输电极包括左中右三个电极，其中左右电极为接地电极，中间电极为信号线电极，所述电吸收调制器电极的过渡电极形状为梯形，该过渡电极与高频传输电极中的信号线电极互连，该过渡电极用于高频传输线与倒装焊焊盘间的过渡；

激光器底电极，其由左侧的激光器焊盘区、过渡电极区、测试焊盘区以及右侧的地线电极组成，其中左侧的激光器焊盘区、过渡电极区及测试焊盘区为信号线电极，过渡电极区形状为梯形，同该激光器焊盘区和测试焊盘区互连。

5.如权利要求4所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述电吸收调制激光器包括调制器区、图形标记和激光器区，该调制器区、图形标记和激光器区的正面分别制作有信号金属电极，背面制作有接地电极，该图形标记与所述对准标记对准，该图形标记形状与该对准标记形状一样或互补。

6.如权利要求5所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述电吸收调制激光器采用倒装焊工艺制作于所述焊料凸点层的焊料凸点上方，该电吸收调制激光器正面的电极区不同区域与焊料凸点分别接触，该电吸收调制激光器背面的接地电极通过金丝球焊或楔焊连接到所述硅衬底上的接地电极上。

7.如权利要求4所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述焊料凸点层的焊料凸点通过植球、金丝球焊工艺制作于所述电吸收调制器电极的焊盘区电极和激光器底电极的激光器焊盘区。

8.如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述焊料凸点层熔点低于400℃，厚度为5-200um，所述金属电极层厚度为0.2um-3um。

9.如权利要求4所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述高频传输电极的左中右三个电极，每一电极均依次由横直电极，弯曲电极，竖直电极以及测试焊盘区电极组成，该横直电极，弯曲电极，竖直电极的接地电极、信号线电极及其电极间距均相同，以保证最佳的高频传输线性能。

10.如权利要求4所述的用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，所述地线电极位于所述测试焊盘区与高频传输电极中间，该地线电极用于激光器信号线与金丝焊盘间的过渡。