[发明专利]一种IGBT功率模块无效

申请号：	201210569263.5	申请日：	2012-12-25
公开（公告）号：	CN103035590A	公开（公告）日：	2013-04-10
发明（设计）人：	任娜;盛况;汪涛;郭清;谢刚	申请（专利权）人：	浙江大学
主分类号：	H01L23/367	分类号：	H01L23/367;H01L23/13
代理公司：	浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100	代理人：	吴辉辉
地址：	310027***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种 igbt 功率模块
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【权利要求书】：

1.一种IGBT功率模块，包括芯片(1)、导热绝缘基板、基板(7)，其特征是：导热绝缘基板将芯片(1)与基板(7)绝缘，并在芯片(1)与基板(7)之间传递热量，芯片(1)与导热绝缘基板之间通过第一锡焊层(2)固定连接，基板(7)与导热绝缘基板之间通过第二锡焊层(6)固定连接,导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、下敷铜层(5)组成，下敷铜层(5)的厚度为1.5-2.0mm。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是:导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、下敷铜层(5)直接间合法构成。

3. 根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是：基板(7)为铜制基板。

4. 根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是：第一锡焊层(2)的厚度为0.05mm。

5. 根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是：第二锡焊层(6)的厚度为0.1mm。

6. 根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是：上敷铜层(3)的厚度为0.3mm。

7. 根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是：陶瓷层(4)的厚度为0.6-0.65mm。

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