[发明专利]一种低寄生电感的IGBT功率模块无效
| 申请号： | 201210569533.2 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103022022A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 盛况;陈思哲;汪涛;郭清;谢刚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H03K17/567 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴辉辉 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 寄生 电感 igbt 功率 模块 | ||
1.一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括相互换流的第一开关回路(11)和第二开关回路(12)，其特征是：第一开关回路(11)包括上桥臂IGBT芯片(2)、下桥臂反并二极管芯片(3)，第二开关回路(12)包括下桥臂IGBT芯片(7)、上桥臂反并二极管芯片(8)；下桥臂反并二极管芯片(3)压接在上桥臂IGBT芯片(2)表面，下桥臂反并二极管芯片(3)的阴极与上桥臂IGBT芯片(2)的发射极直接相连，上桥臂IGBT芯片(2)的表面通过第一焊线(4)引出第一开关回路的桥臂中心，下桥臂反并二极管芯片(3)的阳极通过第二焊线(5)引出接地端，上桥臂IGBT芯片(2)压接在第一基板(1)上；下桥臂IGBT芯片(7)与上桥臂反并二极管芯片(8)分别置于相邻放置的第二基板(6)和第三基板(9)上，第二基板(6)作为第二开关回路的桥臂中心，第三基板(9)连接上桥臂反并二极管芯片(8)的阴极，下桥臂IGBT芯片(7)的发射极通过第三焊线(10)引出接地端，上桥臂反并二极管芯片(8)通过第四焊线(13)连接第二基板(6)。
2.根据权利要求1所述的一种低寄生电感的IGBT功率模块，其特征是：所述IGBT功率模块包括一组或多组第一开关回路和第二开关回路。
3.根据权利要求1所述的一种低寄生电感的IGBT功率模块，其特征是：第一焊线(4)、第二焊线(5)、第三焊线(10)、第四焊线(13)均为锡焊丝。
4.根据权利要求1所述的一种低寄生电感的IGBT功率模块，其特征是：第一基板(1)、第二基板(6)、第三基板(9)均为铜制基板。
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