[发明专利]纳米结构LED

权利要求书

1.一种用于形成纳米结构LED的方法，包括：

形成至少一个纳米线，其中每个纳米线从衬底突出，每个纳米线包含pn结或p-i-n结（160），

形成接触装置，其中将每个纳米线的顶部部分（140）或者至少一部分纳米线覆盖有光反射或透明接触层（130）以形成至少一个纳米线接触组，该接触装置与每个纳米线的底部部分（145）电接触，该光反射或透明接触层（130）经由pn结或p-i-n结与该接触装置电接触，其特征在于该接触装置是分布式的且彼此分离以减小平均串联电阻的第一组接触焊盘（190）。

2.根据权利要求1的方法，该方法还包括形成介于所述衬底和所述至少一个纳米线之间的缓冲层（120）。

3.根据权利要求1的方法，其中由所述光反射或透明接触层（130）限定多个纳米线接触组（110）。

4.根据权利要求1或3的方法，该方法还包括形成分布在由光反射或透明接触层（130）形成的表面的顶部上的第二组分布式接触焊盘（180）。

5.根据权利要求4的方法，其中将所述第二组分布式接触焊盘（180）中的一个或多个接触焊盘与至少一个纳米线接触组（110）一个一个单独地接触，使得能够单独地且独立于其它纳米线组（110）来寻址所述至少一个纳米线接触组（110）。

6.根据权利要求5的方法，该方法还包括形成多个这种纳米线接触组，所述纳米线接触组能够被单独地且独立于其它纳米线组（110）寻址。

7.根据权利要求2、3、5和6中的任一项的方法，其中通过所述缓冲层（120）连接所述第一组接触焊盘（190）的全部接触焊盘。

8.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项的方法，其中将所述纳米线和所述第一组接触焊盘（190）置于所述衬底的同一侧。

9.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项的方法，该方法还包括形成载体结构（280），该载体结构（280）结合到所述第一组接触焊盘（190）和所述第二组分布式接触焊盘（180）。

10.根据权利要求5和6中的任一项的方法，其中所述第一组接触焊盘（190）和/或所述第二组分布式接触焊盘（180）形成阵列。

11.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项的方法，其中所述光反射接触层（130）为铝或银。

12.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项的方法，其中所述光反射接触层（130）沿第一区域的外围纳米线的侧壁向下延伸。

13.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项或者10的方法，其中所述透明接触层（130）为Zn_xO_1-x或In_xSn_yO_1-x-y。

14.根据权利要求1、2、3、5和6中的任一项的方法，其中将所述纳米结构LED胶粘在载体结构上。