[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201210570010.X | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103186050A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | Y·C·裴;R·贝尔;朴钟根;李承泫 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/038;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成电子设备的方法，所述方法包括：
(a)提供包括一或多个待图案化的层的半导体基底；
(b)在一个或多个待图案化的层之上形成光致抗蚀剂层；
(c)在所述光致抗蚀剂层之上涂覆光致抗蚀剂外涂组合物，其中所述外涂组合物包括碱性淬灭剂、聚合物和有机溶剂；
(d)在光化辐射中曝光所述层；和
(e)用有机溶剂显影剂显影曝光薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂显影剂包括2-庚酮。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂显影剂包括乙酸正丁酯。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂显影剂包括丙酸正丁酯。
5.根据权利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蚀剂外涂组合物的有机溶剂包括丁酸烷基酯。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述光致抗蚀剂涂覆组合物的有机溶剂包括丁酸C8-C9烷基酯。
7.根据权利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蚀剂涂覆组合物的有机溶剂包括丙酸烷基酯。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述光致抗蚀剂外涂组合物的有机溶剂包括丙酸C8-C9烷基酯。
9.根据权利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蚀剂外涂组合物的有机溶剂包括酮。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述溶剂包括C8-C9支链酮。
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