[发明专利]光致抗蚀外涂组合物和电子设备的形成方法

权利要求书

1.一种光致抗蚀外涂组合物，所述组合物包括：

含下述通式(I)所示的单体作为可聚合单元的聚合物

其中：R₁选自氢和取代或未取代的C1至C3烷基；R₂选自取代或未取代的C1至C15烷基；X是氧、硫或以式R₃表示，其中R₃选自氢和取代和未取代的C1至C10烷基；且Z是单键或间隔单元，其选自任选地取代未取代的脂肪烃和芳香烃及其组合，任选与选自-O-、-S-、-COO-和-CONR₄-中的一个或多个连接片段一起，其中R₄选自氢和取代和未取代的C1至C10烷基；

有机溶剂；和

碱性淬灭剂。

2.根据权利要求1所述光致抗蚀外涂组合物，其中所述聚合物含有下述通式(II)所示的单体作为可聚合单元：

其中R₅、R₆和R₇独立表示氢或C₁至C₃烷基、氟代烷基或氟代醇基团。

3.根据权利要求2所述的光致抗蚀外涂组合物，其中Z是单键。

4.根据权利要求1到3任一所述的光致抗蚀外涂组合物，其中所述有机溶剂包括丁酸烷基酯。

5.根据权利要求1到3任一所述的光致抗蚀外涂组合物，其中所述有机溶剂包括丙酸烷基酯。

6.根据权利要求1到3任一所述的光致抗蚀外涂组合物，其中所述有机溶剂包括支链酮。

7.根据权利要求1到3任一所述的光致抗蚀外涂组合物，其中所述有机溶剂包括丁酸C₈-C₉烷基酯、丙酸C₈-C₉烷基酯、C₈-C₉酮或其组合。

8.根据权利要求1到7任一所述的光致抗蚀外涂组合物，其中所述碱性淬灭剂以0.1到5wt％的量存在，基于聚合物。

9.一种涂覆的基底，所述涂覆的基底包括基底、基底上的光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂层上的权利要求1到8所述的光致抗蚀外涂组合物层。

10.一种形成电子设备的方法，所述方法包括：

(a)提供包括一或多个待图案化的层的半导体基底；

(b)在一个或多个待图案化的层之上形成光致抗蚀剂层；

(c)由权利要求1到9任一的外涂组合物在光致抗蚀剂层上形成外涂层；

(d)在光化辐射中曝光外涂层涂覆的光致抗蚀剂层；和

(e)用有机溶剂显影剂显影外涂层涂覆的光致抗蚀剂层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述有机溶剂显影剂包括2-庚酮。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述有机溶剂显影剂包括乙酸正丁酯。