[发明专利]一种半导体晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210570211.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103050411A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 章军云;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；
2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；
3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；
4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；
5）对多余的栅金属进行剥离。
所述衬底为GaAs、GaN、SiC、InP化合物半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：所述介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：随层数增加，子层生长时需要的NH3的流量递增，最初层的NH3:SiH4流量比为0.8～1.2，每层的NH3递增量为0.05-0.2。
5.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：、SiH4的流量4～10sccm，各子层生长速率10～30nm/min，各子层厚度为10～30nm。
6.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：栅金属淀积于栅脚之上，栅金属完全与栅介质层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
