[发明专利]沟槽中的成膜工艺方法在审
| 申请号： | 201210571706.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103896204A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;郭晓波;刘尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 中的 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.沟槽中的成膜工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在沟槽表面生长一层隔离介质层；
2）涂布一层含硅的光刻胶，通过曝光显影，去除不需要保护的区域的光刻胶，然后用强氧化剂在光刻胶表面形成一层氧化膜并固化；
3）根据沟槽底部需要淀积的膜的宽度和光刻胶的厚度，计算出淀积角度，然后以该淀积角度，在硅片上淀积一层成膜材料；
4）淀积完成后去除光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离介质层为氧化硅或者氮化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为电子束正胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），形成氧化膜的烘烤温度为30～260℃。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘烤温度为150～240℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述烘烤温度为180℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述强氧化剂包括氧气或臭氧。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膜材料包括磁性材料或导电材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），在硅片承载台下面加垫片，使硅片放置在承载台上淀积时呈现出根据计算得到的淀积所需要的角度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210571706.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种列管结晶生产电子级磷酸的装置
- 下一篇：一种坐驾式前移堆垛车
