[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，在所述阴极层表面层叠有由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层；其中，

所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的一种；

所述无机阻挡层的材质为氧化物、氮化物与硅化物组成的混合物；所述氧化物为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅中的一种，所述氮化物为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一种，所述硅化物为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一种；

所述氧化物占所述无机阻挡层的10wt%～30wt%，所述硅化物占所述无机阻挡层的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述无机阻挡层的45wt%～80wt%。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为4~6层。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于： 

所述空穴注入层的材质为MoO₃按照30wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；

所述空穴传输层的材质为采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)组成的掺杂混合材料；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为CsN₃按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

(a) 在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极层；

(b) 在所述金属阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备有机阻挡层；接着在所述有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次制备有机阻挡层和无机阻挡层，最后构成混合阻挡层；其中，

所述有机阻挡层的材质为CuPc、NPB、Alq₃、m-MTDATA或BCP中的一种；

所述无机阻挡层的材质为氧化物、氮化物与硅化物组成的混合物；所述氧化物为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅中的一种，所述氮化物为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一种，所述硅化物为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一种；

所述氧化物占所述无机阻挡层的10wt%～30wt%，所述硅化物占所述无机阻挡层的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述无机阻挡层的45wt%～80wt%。