[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉，所述无机阻挡层的材质为掺杂10～30wt%金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有PET膜；所述有机电致发光器件封装在所述PET膜和所述阳极基底内。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层；每层所述有机阻挡层和每层所述无机阻挡层的厚度均为200～300nm。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍，所述氟化物为LiF、CeF₂、MgF₂、AlF₃、CaF₂或BaF₂。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述内层的厚度为10nm。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt%MoO₃的N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材料为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度为20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。

7.一种权利要求1~6任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为CuPc、NPB、Alq3、m-MTDATA或BCP；

(3)、把步骤（2）制得样品、金属酞菁化合物以及氟化物放入真空蒸镀设备中，采用共蒸的方式在所述有机阻挡层上蒸镀无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-30wt%金属酞菁化合物的氟化物组成的混合物；

(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；

待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，蒸镀速度为

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述共蒸中，真空度为1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，蒸镀速度为

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括封装步骤：在PET膜边缘涂布封装胶，采用λ=365nm的UV光进行固化，光强为15～25mW/cm²，曝光时间300～400s，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜与所述阳极基底内。