[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效
| 申请号： | 201210572516.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103021873A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 曲志乾;于正友;魏薇 | 申请（专利权）人： | 青岛盛嘉信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266071 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnMgO TFT生长工艺，其特征在于
该ZnMgO生长工艺包括：
腐蚀ITO玻璃；
生长ZnMgO复合层结构
其中，ZnMgO复合层TFT器件后期制备流程如下：
刻蚀Al；
湿法腐蚀ZnMgO。
2.如权利要求1所述的ZnMgO TFT生长工艺，其特征在于，上述腐蚀ITO玻璃包括使用腐蚀液HNO3：H20：HCI＝1：2：3，水浴50℃1分钟。
3.如权利要求1所述的ZnMgO TFT生长工艺，其特征在于，
上述生长ZnMgO复合层结构包括采用物理蒸发低温沉积(PELD)系统蒸发氧化物ZnO和MgO，在ITO玻璃衬底上连续沉积生长ZnMgO和C-ZnMgO复合层薄膜。
4.如权利要求1所述的ZnMgO TFT生长工艺，其特征在于，
上述湿法腐蚀ZnMgO包括采用H3PO4：H2O配比的溶液水浴60℃湿法腐蚀ZnMgO。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛盛嘉信息科技有限公司，未经青岛盛嘉信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210572516.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种再布线AAQFN封装器件的制造方法
- 下一篇：磁粉探伤装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
