[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的如下结构：

阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；

所述无机阻挡层的材质为氮化物和硼化物的混合物，所述氮化物占所述混合物总质量的20%～40%；所述氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽和氮化钛中的至少一种；所述硼化物为硼化铝、六硼化镧、二硼化钒、一硼化铌、二硼化钛和硼化钼中的至少一种；

所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层及无机阻挡层交替层叠的次数为4～6次。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂了三氧化钼的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，所述三氧化钼占所述空穴注入层的重量百分比为30%；

所述空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为掺杂了三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述三（2-苯基吡啶）合铱占所述发光层的重量百分比为5%；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为掺杂了叠氮化铯的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述叠氮化铯占所述电子注入层的重量百分比为30%。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供阳极导电基板；

在所述阳极导电基板的阳极导电层上真空蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

在所述阴极层上真空蒸镀制备由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层，一层所述有机阻挡层与所述阴极层直接接触；

所述无机阻挡层的材质为氮化物和硼化物的混合物，所述氮化物占所述混合物总质量的20%～40%；所述氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铪、氮化钽和氮化钛中的至少一种；所述硼化物为硼化铝、六硼化镧、二硼化钒、一硼化铌、二硼化钛和硼化钼中的至少一种；

所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠的次数为4～6次。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层真空蒸镀制备时，其真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸发速度为所述无机阻挡层磁控溅射制备时，其真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa。

9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为200nm～300nm。

10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为100nm～200nm。