[发明专利]一种太阳能电池有效
申请号: | 201210572780.8 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103000710A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 范志东;王静;赵学玲;张小盼;李倩 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池。
背景技术
目前晶体硅太阳能电池产业技术已经非常成熟,然而与常规能源相比,相对较高的成本与较低的光电转换效率制约了光伏产业的发展,对于如何降低成本及提高光电转换效率,人们进行了大量的研究。
其中高阻密栅工艺就是太阳能电池提高光电转换效率的一个发展方向。所述高阻指扩散方阻较大,扩散方阻越大,少子在表面复合的就越少,短路电流越大,从而光电转换效率越高。
但是,在实际制作过程中,发明人发现,高阻密栅工艺制作出的太阳能电池的性能仍然有待提高。
发明内容
本发明提供了一种太阳能电池,能够在不降低太阳能电池组件的焊接拉力的基础上,降低太阳能电池的生产成本。
为了解决上述问题,本发明提供了一种太阳能电池,包括多条主栅线和多条细栅线,在太阳能电池的一个吸光面上,包括至少一条镂空主栅线和至少一条实心主栅线,所述实心主栅线与焊带电性连接。
优选地,所述主栅线的条数为至少三条。
优选地,所述实心主栅线的条数为2条。
优选地,所述镂空主栅线位于两条实心主栅线的中间。
优选地,所述镂空主栅线的宽度小于实心主栅线的宽度。
优选地,所述镂空主栅线的宽度为0.1mm~2mm,包括端点值。
优选地,所述实心主栅线的宽度为2mm~3mm,包括端点值。
优选地,所述主栅线的材料为银。
由上述方案可知,本发明提供的太阳能电池,包括多条主栅线,多条主栅线中既包括实心主栅线也包括镂空主栅线,所述实心主栅线与焊带电性连接,相对于现有技术中的高阻密栅太阳能电池,能够在保证太阳能电池组件的焊接拉力不降低的情况下,有效降低太阳能电池的生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的太阳能电池正面示意图;
图2为本发明实施例二提供的一种太阳能电池正面示意图;
图3为本发明实施例二提供的另一种太阳能电池正面示意图;
图4为本发明实施例二提供的一种太阳能电池镂空主栅线局部放大示意图;
图5为本发明实施例二提供的另一种太阳能电池镂空主栅线局部放大示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术中的高阻密栅工艺制作出的太阳能电池的性能仍然有待提高,发明人经研究发现,高阻密栅工艺形成的太阳能电池,随扩散方阻的增大,同时会增加金属浆料和硅片本身的接触电阻,从而增大串联电阻,现有技术中通常通过增加主栅线的数量来降低串联电阻。但是由于太阳能电池正面的主栅线的印刷浆料一般为银浆,增加主栅线的数量,必然会增加银浆的耗量,从而会增加太阳能电池的生产成本,为降低印刷主栅线所用银浆的耗量,降低太阳能电池的生产成本,将太阳能电池正面的所有主栅线做成镂空状,但是镂空主栅线的使用,会降低太阳能电池组件的焊接拉力,增加太阳能电池组件的衰减。
基于此,本发明提供了如下方案:
一种太阳能电池,包括多条主栅线和多条细栅线,在太阳能电池的一个吸光面上,包括至少一条镂空主栅线和至少一条实心主栅线,所述实心主栅线与焊带电性连接。
由上述的技术方案可知,本发明提供的太阳能电池,包括实心主栅线和镂空主栅线,其中,实心主栅线与焊带电性连接,保证了太阳能电池组件所需的焊接拉力,而镂空主栅线的存在,既保证了主栅线的数量,降低了串联电阻,又节省了浆料,降低了太阳能电池的生产成本,即本发明提供的太阳能电池能在不降低太阳能电池组件的焊接拉力的基础上,降了低太阳能电池的生产成本。
以上是本申请的核心思想,下面结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的