[发明专利]用于应力优化的鳍式场效应晶体管布局

权利要求书

1.一种布局，包括：

至少两个鳍式场效应晶体管(FinFET)单元，所述至少两个FinFET单元包括第一FinFET单元和第二FinFET单元；

FinFET鳍，被设计成横跨这两个FinFET单元，所述FinFET鳍包括正电荷FinFET(Fin PFET)鳍和负电荷FinFET(Fin NFET)鳍；

多个栅极，形成在部分所述FinFET鳍的上方；以及

隔离单元，形成在所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元之间，所述隔离单元隔离所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元而没有断开所述FinFET鳍。

2.根据权利要求1所述的布局，其中，所述第一FinFET单元包括位于所述FinFET鳍周围的至少一个栅极。

3.根据权利要求1所述的布局，其中，所述第二FinFET单元包括位于所述FinFET鳍周围的至少一个栅极。

4.根据权利要求1所述的布局，其中，所述隔离单元包括形成在所述Fin PFET鳍中的PFET隔离结构。

5.根据权利要求4所述的布局，进一步包括连接形成在所述衬底中的一个接触件的至少一个P栅极隔离结构；以及

延伸的P栅极隔离结构；或者

进一步包括至少一个N阱隔离结构；或者

至少一个N+隔离结构。

6.根据权利要求1所述的布局，其中，所述隔离单元包括形成在所述Fin NFET鳍中的NFET隔离结构。

7.根据权利要求6所述的布局，进一步包括连接形成在所述衬底中的一个接触件的至少一个N栅极隔离结构；以及

进一步包括延伸的N栅极隔离结构。

8.根据权利要求6所述的布局，进一步包括至少一个P阱隔离结构；或者

进一步包括至少一个P+隔离结构。

9.一种布局，包括：

至少两个鳍式场效应晶体管(FinFET)单元，所述至少两个FinFET单元包括第一FinFET单元和第二FinFET单元；

FinFET鳍，被设计成横跨这两个FinFET单元，所述FinFET鳍包括包含第一金属栅极材料的正电荷FinFET(Fin PFET)鳍和包含第二金属栅极材料的负电荷FinFET(Fin NFET)鳍；

多个栅极，形成在部分所述FinFET鳍的周围；以及

隔离单元，形成在所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元之间，所述隔离单元隔离所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元而没有断开所述FinFET鳍。

10.一种布局，包括：

第一鳍式场效应晶体管(FinFET)单元和第二FinFET单元；

FinFET鳍，横跨所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元，所述FinFET鳍包括正电荷FinFET(Fin PFET)鳍和负电荷FinFET(Fin NFET)鳍；

多个栅极，形成在部分所述FinFET鳍的上方；以及

隔离单元，隔离所述第一FinFET单元和所述第二FinFET单元而没有断开所述FinFET鳍。