[发明专利]大电流/高压二极管的制备方法

权利要求书

1.一种大电流/高压二极管的制备方法，所述大电流/高压二极管；包括分开布置的第一引脚（1）和第二引脚（2），二极管芯片（3）以及塑封体（4）；所述第一引脚（1）有第一贴片基岛（1-1），而第一贴片基岛（1-1）有与其互为一体的第一引线（1-2）；所述第二引脚（2）有第二贴片基岛（2-1），而第二贴片基岛（2-1）有与其互为一体的第二引线（2-2）；所述二极管芯片（3）、第一贴片基岛（1-1）和第二贴片基岛（2-1）封装在塑封体（4）内；所述二极管芯片（3）的背面通过不导电胶层（5）装在第一贴片基岛（1-1）和第二贴片基岛（2-1）上，二极管芯片（3）表面的正极和负极分别通过金线与第一贴片基岛（1-1）和第二贴片基岛（2-1）电连接；其特征在于：所述大电流/高压二极管的制备步骤依次是：

a、圆形硅片贴膜；所述圆形硅片贴膜是将圆形硅片的背面与不导电胶膜和紫外线敏感膜贴装，且不导电胶膜位于圆形硅片与紫外线敏感膜之间；

b、划片；所述划片是将经贴膜后的圆形硅片放入自动划片机内，并且按照二极管芯片图形的尺寸要求对圆形硅片进行切割，形成若干个方形粒状的二极管芯片，而不导电胶膜经划片后完全断裂，紫外线敏感膜未断裂，然后再用紫外线灯照射紫外线敏感膜，以降低紫外线敏感膜的粘度；照射时间控制在30s~60s范围内；

c、装片；所述装片是将经划片后的圆形硅片背面的不导电胶膜和紫外线敏感膜贴装先分离，然后用全自动装片机的真空吸嘴依次吸附二极管芯片，并与具有若干个引脚单元的引脚框架装配，即放置在引脚单元的分开布置的第一贴片基岛和第二贴片基岛上，接着令不导电胶膜经高温加热溶解并冷却固化，并令不导电胶膜形成不导电胶层，使得二极管芯片通过不导电胶层与引脚单元的第一贴片基岛和第二贴片基岛牢固结合；

d、焊线；所述焊线是将经装片处理后的二极管芯片的正负极分别通过焊线和引脚单元的第一贴片基岛和第二贴片基岛的剩余区域，采用超声焊接方式完成电性连接，保证焊线和二极管的正负极和引脚单元的第一贴片基岛和第二贴片基岛牢固结合，形成良好的欧姆接触；

e、塑封；所述塑封是将经焊线后的二极管芯片和引脚框架放入模具型腔内，并注入环氧树脂，使得环氧树脂包覆在二极管芯片，以及装有二极管芯片区域的引脚单元的外周，通过环氧树脂的高分子交联反应形成固化的塑封体；

f、固化；所述固化是将经塑封后的塑封体进行高温固化，使得交联反应更加彻底，而令二极管芯片和引脚框架与塑封体进一步粘结成一体；固化温度控制在170~180℃，固化时间控制在4h~5h范围内；

g、去飞边；所述去飞边是对固化后的塑封体产生的溢料和飞边通过电解方式，脱落引脚单元所具有的第一引脚和第二引脚上多余的塑封体，并用高压水冲洗干净；

h、电镀；所述电镀是将经去飞边后的引脚单元的第一引脚和第二引脚的剩余区域，通过锡球阳极电离方式进行镀锡，并形成锡镀层；

i，切筋成型；所述切筋成型是按产品外形设计要求对电镀后的工件进行冲切成型，即制得制成品所述大电流/高压二极管。

2.根据权利要求1所述的大电流/高压二极管的制备方法，其特征在于：所述划片步骤的自动划片机的划片刀轴主轴转速在34000~36000 rpm/min范围内，刀片进刀速度在45~55mm/s范围内，划片时所用的去离子水的电阻率＞8 MΩ·cm。

3.根据权利要求1所述的大电流/高压二极管的制备方法，其特征在于：所述装片步骤的全自动装片机的装片轨道用氢氮混合气体保护，气体流量大于3L/min，装片延时控制在30-40ms 范围内。

4.根据权利要求1所述的大电流/高压二极管的制备方法，其特征在于：所述焊线步骤的焊线为金线或铜线；若焊线是金线，则其第一焊点压力控制在20g~50g范围内，超声功率控制在70mw~100mw范围内，延时时间控制在8ms~10ms范围内，第二焊点压力控制在80g~140g范围内，超声功率控制在80mw~140mw范围内，延时时间控制在8ms~10ms范围内；若焊线是铜线，则其第一焊点压力控制在30g~80g范围内，超声功率控制在70mw~100mw范围内，延时时间控制在9ms~12ms范围内，第二焊点压力控制在100g~140g范围内，超声功率控制在100mw~150mw范围内，延时时间控制在9ms~12ms范围内。