[发明专利]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层（10）、P+层（08）、N+层（06），其特征在于：所述N+（06）层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层（08），所述金属层（10）覆盖于所述P+层（08）及所述N+层（06）上。

2.根据权利要求1所述的绝缘双极型晶体管，其特征在于：所述倒置平顶锥形凹槽设置呈阵列排布。

3.根据权利要求1所述的绝缘双极型晶体管，其特征在于：所述的倒置平顶锥形凹槽设置密度为22/mm²。

4.一种绝缘双极型晶体管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

①在N型硅片（01）的第一表面（02）制作出MOS结构（03）；

②在所述N型硅片（01）第二表面（04）注入磷形成N+型层（05）；

③在所述N型硅片（01）第二表面（04）表面形成P+型倒置平顶锥形阵列（08）；

④对所述N型硅片（01）进行注入杂质激活；

⑤在所述N型硅片（01）第二表面（04）表面进行金属电极（10）的淀积。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于：所述步骤③中包括如下流程：

A、在所述N型硅片（01）第二表面（04）上涂覆光刻胶；

B、在所述N型硅片（01）第二表面（04）即将刻蚀锥形阵列的区域进行曝光定义；

C、通过KOH缓冲溶液对所述第二表面（04）的各向异性腐蚀，得到深度大于N+型层（05）的倒置平顶锥形阵列（07），未被腐蚀的N+型层（05）形成N+型集电极短路点（06），所述倒置平顶锥形阵列（07）包围N+型集电极短路点（06）；

D、清洗所述N型硅片（01），以光刻胶作为阻挡层继续进行深硼注入；

E、去除光刻胶，形成具有由P+型倒置平顶锥形阵列（08）包围着的N+型集电极短路点（06）的集电极结构（09）。

6.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述步骤④中将所述N+型集电极短路点（06）和P+型倒置平顶锥形阵列（08）中注入的磷和硼激活，硼的激活浓度应大于磷的激活浓度。