[发明专利]热致变色基板和制造所述热致变色基板的方法无效

专利信息
申请号: 201210574498.3 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103171180A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 裴薛基;文东建;柳翔炼 申请(专利权)人: 三星康宁精密素材株式会社
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/04;C23C14/06;C23C14/34;C23C20/00
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;王珍仙
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 变色 制造 述热致 方法
【权利要求书】:

1.一种热致变色基板,包括:

基底基板;

形成在所述基底基板上的热致变色薄膜;和

形成在所述热致变色薄膜上的光致变色薄膜。

2.如权利要求1所述的热致变色基板,其中所述光致变色薄膜吸收具有380nm至780nm范围内波长的光。

3.如权利要求1所述的热致变色基板,其中所述光致变色薄膜包含选自由银(Ag)、卤化银(Ag)、卤化锌(Zn)、螺吡喃和二芳基乙烯组成的组中的至少一种。

4.如权利要求1所述的热致变色基板,其中所述热致变色薄膜包含选自由二氧化钒(VO2)、氧化钛(III)(Ti2O3)和氧化铌(NbO2)组成的组中的至少一种。

5.如权利要求1所述的热致变色基板,其中所述热致变色薄膜包含热致变色材料和掺杂进入所述热致变色材料中的掺杂剂,由此所述热致变色薄膜的相变温度低于所述热致变色材料的相变温度。

6.如权利要求5所述的热致变色基板,其中所述掺杂剂包含选自由钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)和锆(Zr)组成的组中的至少一种。

7.如权利要求1所述的热致变色基板,进一步包含在所述基底基板和所述热致变色薄膜之间的氧化物或氮化物薄膜。

8.如权利要求7所述的热致变色基板,其中所述氧化物或氮化物薄膜包含选自由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、五氧化二铌(Nb2O5)、二氧化钛(TiO2)和氮化硅(Si3N4)组成的组中的至少一种。

9.如权利要求7所述的热致变色基板,其中所述氧化物或氮化物薄膜的厚度在30nm至80nm的范围内。

10.一种制造热致变色基板的方法,所述方法包含:

用热致变色薄膜涂覆基底基板;和

用光致变色薄膜涂覆所述热致变色薄膜。

11.如权利要求10所述的方法,其中所述热致变色薄膜使用包含二氧化钒(VO2)的溅射靶形成,所述二氧化钒(VO2)用选自由钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)和锆(Zr)组成的组中的至少一种掺杂。

12.如权利要求10所述的方法,其中所述热致变色薄膜使用包含二氧化钒(VO2)的溅射靶和包含选自由钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)和锆(Zr)组成的组中的至少一种的溅射靶形成。

13.如权利要求10所述的方法,其中采用直流(DC)溅射沉积或溶胶-凝胶法以光致变色薄膜涂覆所述热致变色薄膜。

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