[发明专利]一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201210574529.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103898452A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 夏扬;谢元锋;吕宏;王玉民;姜珩;李屹民 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 sb te 及其 制备 方法 | ||
1.一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材，其特征在于：它的化学通式为SbxTeyW1-x-y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。
2.根据权利要求1所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材，其特征在于：所述靶材的纯度大于99.99w%，致密度高于98%。
3.权利要求1或2所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，包括以下步骤：
（1）将W粉分别与Sb粉、Te粉混合均匀后压制成型，装入包套，抽真空密封，熔炼，破碎，球磨，得到WSb与WTe中间化合物粉末；
（2）按通式SbxTeyW1-x-y配比，将两种中间化合物粉末混合均匀后，进行双向压制真空热压烧结，经线切割、磨床加工，制备得到SbxTeyW1-x-y靶材。
4.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：W粉的粒度为-300目，Sb粉的粒度为-200目，Te粉的粒度为-200目。
5.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：所述的包套为采用不锈钢包套。
6.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：所述熔炼的温度为500℃~700℃，熔炼的时间为15~30min。
7.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：所述的球磨的时间为24~48h。
8.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：所述的中间化合物粉末的粒度为4~45μm。
9.根据权利要求3所述的相变存储用Sb-Te-W相变靶材的制备方法，其特征在于：所述的双向压制真空热压烧结时，压力为10MPa～15MPa，温度为550℃~700℃，时间为3~6h，真空度高于1.0×10-3Pa。
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