[发明专利]非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201210574551.X | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904212A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 | ||
1.一种非挥发性存储器，其特征在于，所述的非挥发性存储器包括：
一底电极，其具有一第一晶格常数；
一电阻转态层，设置于所述的底电极上方，其具有一第二晶格常数；
一顶电极，设置于所述的电阻转态层上；以及
一分隔层，设置于所述的底电极和所述的电阻转态层之间，其具有不同于所述的第一晶格常数和所述的第二晶格常数的一第三晶格常数。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的第三晶格常数不同于所述的第一晶格常数。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的非挥发性存储器更包括：
一基板，设置于所述的底电极的下方；以及
一绝缘层，设置于所述的底电极和所述的基板之间。
4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的分隔层的一下表面和一上表面系分别接触所述的底电极和所述的电阻转态层。
5.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的底电极的结晶取向为不同于所述的电阻转态层的结晶取向。
6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的电阻转态层为二氧化铪、氧化铝、铬掺杂的钛酸锶、铬掺杂的锆酸锶、二氧化锆薄膜。
7.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的分隔层包括一介电薄膜或一导电薄膜。
8.如权利要求7所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的介电薄膜为二氧化钛薄膜。
9.如权利要求7所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的导电薄膜为氮化钨薄膜。
10.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的电阻转态层的厚度大于所述的分隔层的厚度。
11.如权利要求10所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述的电阻转态层与所述的分隔层的厚度比值介于3:1和20:1之间。
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