[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年12月26日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2011-0142546的优先权，正如在此得到充分阐述的那样，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或者II-VI族化合物半导体材料的、诸如发光二极管或者激光二极管的发光器件能够发射诸如红色、绿色、蓝色的各种颜色的光和紫外光。此外，与诸如荧光灯、白炽灯的传统的光源相比较，这些发光器件能够使用荧光物质或者通过色彩混合产生具有高效率的白光，并且具有诸如低功率消耗、半永久性寿命、响应时间快速、安全和环境友好的优点。

因此，发光器件被越来越多地应用于光学通信单元的传输模块、替换组成液晶显示器（LCD）装置的背光单元的冷阴极荧光灯（CCFL）的发光二极管背光单元、使用替换荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管的照明设备、车辆的头灯以及交通灯。

发光器件通过经由第一导电型半导体层注入的电子和经由第二导电型半导体层注入的空穴的复合来发射具有由有源层的材料的本征能带确定的能量的光。在发光器件封装中，通过从发光器件发射的光来激励荧光体，并且因此，可以发射比从有源层发射的光长的长波长区域的光。

图1是图示传统的发光器件100的视图。图2是图示图1的发光器件100的电极结构的视图。

参考图1，发光器件100包括衬底110、缓冲层115、以及包括第一导电型半导体层122、有源层124以及第二导电型半导体层126的发光结构120。在此，缓冲层115被插入在衬底110和发光结构120之间。

当衬底110是由非导电材料形成时，第一导电型半导体层122的一部分被暴露并且第一电极150被布置在其被暴露的表面上。为了将空穴均匀地注入第二导电型半导体层126，透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上，并且第二电极160可以被布置在透光导电层130上。

图2图示图1的发光器件100的第一和第二电极150和160的结构。为了将电子和空穴均匀地注入到各自的第一和第二导电型半导体层122和126并且增加电子和空穴的再复合的比率，如在图2中所图示的，第一电极150包括第一电极焊盘152和从其分支的第一分支电极154，并且第二电极160包括第二电极焊盘162和从其分支的第二分支电极164。

然而，传统的发光器件具有如下面所陈述的问题。

即使上述的第二分支电极164被布置在第二导电型半导体层126上，空穴仅能够被集中在与第二分支电极164相对应的第二导电型半导体层126的区域周围，并且因此，难以期待将电子和空穴绑定在有源层124的整个区域中。

为了解决这些问题，具有分散空穴的高能力的透光导电层130可以被布置在第二导电型半导体层126上。然而，因为透光电极层130具有与电极材料差的接触特性，所以第二电极160和第二分支电极164可能没有被稳定地形成。

发明内容

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被连接到第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个，其中第二电极接触开口区域中的第二导电型半导体层并且接触除了开口区域之外的区域中的透光导电层。

在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；透光导电层，该透光导电层被布置在第二导电型半导体层上并且包括通过其使得第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域；第一电极，该第一电极被布置在透光导电层上并且多个区域中点接触第一导电型半导体层；以及第二电极，该第二电极被布置在透光导电层上并且在除了开口区域之外的区域中点接触透光导电层。