[发明专利]一种T型栅结构的MOS晶体管

权利要求书

1.一种T型栅结构的MOS晶体管，主要包含有半导体硅衬底(1)、NMOS源(2)、NMOS漏(3)、沟道区、多晶栅(15)、栅氧化层(14) 、侧墙(16)和侧墙(17)，其特征在于：本发明的MOS晶体管，采用非平面工艺使沟道(12)和沟道(13)从硅衬底竖起在沟道区形成凹型槽沟道(27)，并引进侧向沟道面(18)、侧向沟道面(19)和凹槽底部沟道面(21)，在凹型沟道表面构造出多晶栅(15)为“T”字型形状，“T” 字型多晶栅(15)覆盖侧向沟道面(18)、侧向沟道面(19)和凹槽底部沟道面(21)以及沟道(12)和沟道(13)的顶部表面沟道面（20）和（22），并保证沟道(12)的外侧面(23) 和沟道(13) 的外侧面(24)不被栅氧层和栅覆盖，以便引入应力。

2.根据权利要求1所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：所述的凹槽(27)为立方体型，凹槽的数量≥1，T型栅的数量与凹槽数量保持一致。

3.根据权利要求2所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：所述的凹槽(27)数量大于1个时，相应的T型栅排列成为“……”型。

4.根据权利要求1一3中的仼一项所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：凹槽宽度a为20 nm～1000nm。

5.根据权利要求1所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：沟道(12)和沟道(13)的沟道宽度b为12 nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：T型栅(15)，NMOS源(2)、NMOS漏(3)区域上淀积金属硅化物，其热膨胀系数比Si高，分别采用硅化钛TiSi₂、或硅化钴CoSi₂、或硅化镍NiSi向沟道引入应力。

7.根据权利要求1所述的一种T型栅结构的MOS晶体管，其特征在于：高应变（33）氮化硅盖帽层覆盖多晶栅、源漏区域，以及沟道(12)和沟道(13)的外侧面（23）和（24）的沟道表面，进一步增大应力。