[发明专利]一种薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底、源漏极、有源层、绝缘层以及栅极，其中有源层为含IIIB族金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述IIIB族金属氧化物包括Sc、Y和稀土元素的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述衬底为柔性或刚性衬底。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述缓冲层为有机物或无机物。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于上述有机物为环氧树脂以及光敏材料。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于上述无机物为硅氧化物、硅氮化物。

7.一种薄膜晶体管的制作工艺，用于制作权利要求1-6的薄膜晶体管，其特征在于各结构层分别采用下述方法制备：

（1）采用真空蒸发或溅射技术制备栅极。

（2）采用磁控溅射Si把生成二氧化硅作为电介质绝缘层。

（3）采用磁控溅射方法制备氧化物有源层。

（4）通过真空蒸发或溅射工艺形成一层ITO或金属作为源极和漏极。