[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

在顶部开口并可抽真空的处理容器；

微波发生部，其发生等离子体发生用的微波；

平面天线构件，其具有多个狭缝，该多个狭缝在上述顶部的开口处设置，并用于向上述处理容器内导入来自上述微波发生部的微波；以及

顶板，其气密地设置在上述顶部的开口处，使从上述平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过并导入到上述处理容器内，

上述顶板在上述顶板的面对上述处理容器内的一面朝向上述顶板内部形成有多个凹部，

上述凹部具有以等角度间隔沿着一个圆排列的内侧微波传播控制凹部和沿着一个圆排列的外侧微波传播控制凹部，

上述内侧微波传播控制凹部的数量对应于与上述狭缝的数量相同的数量。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述凹部的底部厚度是微波在真空中的波长的0.15倍以下，并且，

上述凹部的周边的厚度大于微波在真空中的波长的0.15倍。

3.根据权利要求1或者2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

与上述多个凹部的底部相当的部分的顶板的厚度被设置成彼此相同，并且，

上述多个凹部以外的部分即凸状部分的厚度被设定成相同。

4.一种等离子体处理装置用的顶板，用于使从平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过并导入到处理容器内，其特征在于，

在上述顶板的面对上述处理容器内的一面朝向上述顶板内部形成有多个凹部，

上述凹部具有以等角度间隔沿着一个圆排列的内侧微波传播控制凹部和沿着一个圆排列的外侧微波传播控制凹部，

上述内侧微波传播控制凹部的数量对应于与上述狭缝的数量相同的数量。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置用的顶板，其特征在于，

上述凹部的底部厚度是微波在真空中的波长的0.15倍以下，并且，

上述凹部的周边的厚度大于微波在真空中的波长的0.15倍。

6.根据权利要求4或者5所述的等离子体处理装置用的顶板，其特征在于，

与上述多个凹部的底部相当的部分的顶板的厚度被设置成彼此相同，并且，

上述多个凹部以外的部分即凸状部分的厚度被设定成相同。