[发明专利]一种低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法

权利要求书

1.一种低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1基材预处理；步骤2清洗基材表面；步骤3离子注入。

2.根据权利要求1所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤1中，对金属基材表面进行抛光。

3.根据权利要求2所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：所述金属基材为316LN不锈钢材料。

4.根据权利要求1所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤2中，对基材表面先后进行超声波清洗、离子溅射清洗。

5.根据权利要求4所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤2中，采用丙酮或乙醇进行超声波清洗，采用Ar+离子对金属基材表面进行离子溅射清洗，离子溅射清洗时间为10-15分钟。

6.根据权利要求4所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤3中，离子注入方式为N离子单独注入或N离子+Ti离子复合注入。

7.根据权利要求6所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤3中，单独注入N离子时：N离子的注入加速电压为40KV，N离子注入剂量为2×10¹⁷-8×10¹⁷/cm²；复合注入N离子和Ti离子时：N离子的注入加速电压为40KV，Ti离子的注入加速电压为60KV，N离子、Ti离子注入剂量比为1:1，范围均为1×10¹⁷-4×10¹⁷/cm²。

8.根据权利要求6所述的低温高负载状况下材料表面的无界面强化处理方法，其特征在于：步骤3中，离子注入的真空度为10^-3-10^-4Pa，离子源的N₂供气纯度为99.999%，脉冲离子源的Ti阴极纯度为99.8%。