[发明专利]一种金属塘瓷釉底料无效

专利信息
申请号: 201210575795.X 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103058522A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 陈涛 申请(专利权)人: 龙门协成新材料有限公司
主分类号: C03C8/14 分类号: C03C8/14
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 任海燕
地址: 516083 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 瓷釉
【说明书】:

技术领域

发明属于化工原料技术领域,具体涉及到一种用于涂搪在金属胚胎上用于保护胚体的塘瓷釉底料。 

背景技术

涂漆和塘瓷着瓷方法可赋予金属各种性能,诸如耐腐蚀性,耐化学性,耐候性和装饰性,而且可以改良其使用寿命,而塘瓷着瓷金属相比在许多方面是更加优异的,例如硬度,耐候性,清洗复原性,耐热性和阻燃性,但是也存在相应问题,即生产成本昂贵且塘瓷层容易剥离。

  目前,塘瓷着瓷产物也叫做后涂覆制品,只通过先加工金属制品然后塘瓷涂覆制备的。与预涂覆制品相比其制造成本相当昂贵,预涂覆制品时,涂覆卷材金属制品,然后在塘瓷着瓷和煅烧之后进行金属制品的制作,另一方面,涂漆金属制品的薄膜对后加工在某种程度上是有毒的,因此,由预涂覆金属制品可制造轻微加工制品,则降低了制造成本,所以已广泛使用涂漆金属制品。换言之,塘瓷和涂漆制品在价格上的差别限制了塘瓷技术领域的扩大应用,但是,由于塘瓷制品本身具有高度抑制污染作用和通过清洗可优异复原的耐化学性,仍广泛使用。

出于这个原因,如何改进塘瓷工艺及配方,降低制造成本是塘瓷技术业界一重点研究方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种与胚体结合牢固密着性更好的且成本低廉的塘瓷釉底料。 

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

一种金属塘瓷釉底料,以质量百分比计包括以下组分:

二氧化硅30-50%,三氧化二铝4.0-9.0%,

一价碱性氧化物9.0-18.0%,氧化硼15.5-29.0% ,

氟化钙3.3-6.9%,氟硅酸钠2.0-2.8%,                                              

混合密着剂 0.5-2.5%,

着色剂0.1-2.5%。

作为优先方案,所述的混合密着剂选择为氧化钴、氧化锑、氧化镍、氧化钼中任意一种与钼酸盐的混合物;所述的钼酸盐优选为钼酸钡、钼酸锌、钼酸银中的任一种或两种;所述的着色剂,为三氧化二铁和氧化锰的混合物。

本发明提出的技术方案相比现有技术具有下述有益效果:

 本发明塘瓷底釉涂覆在胚体上可以使得胚体具有耐高温的特性,同时具有较好的耐腐蚀性,釉面处在高温环境中,可长时间保持耐腐蚀的特性。本发明的底釉配方中采用由氧化钴或氧化锑等与钼酸盐的组成的混合密着剂,使得塘瓷釉与胚体结合更加牢固,多种密着剂的结合使用使得密着性能更好。

 

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细的描述,实施例仅是本发明的优选实施方式,不是对本发明的限制。

本发明选用的基体剂采用本领域常用的二氧化硅(SiO2),同时配以三氧化二铝(Al2O3),一价碱性氧化物(R2O),氧化硼(B2O3),氟化钙(CaF2) , 氟硅酸钠(NaSiF6)等助剂可以改善其性能,降低烧成温度,降低能耗。密着剂采用氧化钴或氧化锑等与钼酸盐的混合使得塘瓷釉与胚体结合更加牢固。

实施例1

以质量百分比计,取二氧化硅44份,三氧化二铝8份,一价碱性氧化物16分,氧化硼23份,氟化钙 3.5份,氟硅酸钠2.4份,混合密着剂1.6分,混合密着剂选用氧化钴与钼酸钡等量的混合物,着色剂选用三氧化二铁 取1.5份,配料后研磨熔融制成金属塘瓷釉底料。

上述制备的塘瓷底料涂搪于金属胚体高温烧制后,胚体上底釉全部熔融至胚胎凹凸不平的表面上未形成明显的底釉层,塘瓷底料与胚体的密着性好。

实施例2

以质量百分比计,取二氧化硅48份,三氧化二铝6份,一价碱性氧化物13分,氧化硼26份,氟化钙 4.5份,氟硅酸钠2.2份,混合密着剂2.1分,混合密着剂选用氧化锑、氧化镍与钼酸锌 等量的混合物,着色剂选用氧化锰取1.8份,配料后研磨熔融制成金属塘瓷釉底料。

上述制备的塘瓷底料涂搪于金属胚体高温烧制后,胚体上底釉全部熔融至胚胎凹凸不平的表面上未形成明显的底釉层,塘瓷底料与胚体的密着性牢固,在涂搪有底料的胚体上涂搪面釉,将已施釉且粉层干燥的胚胎置于700-900℃的环境下烧成,烧至瓷层全部熔融至表面出现较强的光泽。本发明底料配方引入钼酸盐,密着性高,瓷层不易脱落,制造成本低廉。

上述仅为本发明的较佳实例而已,并非对本发明做任何形式上的限制,在不脱离本发明技术方案范围之内,任何利用上述揭示的技术内容作出些许改动或修饰的等同变化的方案,均属于本发明的技术方案范围内,因此本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。 

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