[发明专利]一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法

权利要求书

1.一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法，其特征在于按照以下步骤进行：

（1）以未引入电极的太阳能电池片为基片，依次用丙酮、乙醇和去离子水超声波清洗基片，用氮气吹干基片，送入磁控溅射反应室；

（2）将磁控溅射反应室抽真空至9.0×10^-4 Pa后，将基片加热至100℃，并调整氩气流量使气压达到6Pa，以纯Al为靶材进行磁控溅射，控制溅射功率为100-200W，溅射时间1-8min，在基片上得到20-300nm厚的Al薄膜；

（3）用去离子水清洗上述溅射有Al薄膜的基片，然后将基片置于气相沉积室内加热到200℃，向气相沉积室内同时通入氧气和携带有Zn(CH₂CH₃)₂的氩气，其中氩气和氧气流量之比为1:（100-120），控制微波功率为650W，在有Al薄膜的基片上沉积得到50~600nm 厚的ZnO薄膜，然后用高纯氮气清洗气相沉积室，取出载有ZnO和Al薄膜的基片；

（4）在氧气气氛下，于400-600℃对载有ZnO和Al薄膜的基片退火处理30min，得到ZnO/Al薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种在未引入电极的太阳能电池片上制备ZnO/Al薄膜的方法，其特征在于所述的未引入电极的太阳能电池片是工业用单晶硅或多晶硅太阳能电池片。