[发明专利]保护带剥离方法和保护带剥离装置有效
申请号: | 201210576008.3 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103177989B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 桥本淳;山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 剥离 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种在粘贴于半导体晶圆(下面,适当称作“晶圆”)的图案形成面的保护带上粘贴剥离用的粘合带、并通过对该剥离带进行剥离而将保护带与剥离带一体地从晶圆剥离的保护带剥离方法和保护带剥离装置。
背景技术
在完成了图案形成处理的晶圆的表面上粘贴了保护带后,对已粘贴有保护带的晶圆的整个背面均匀地实施背磨处理。在将已粘贴有保护带的晶圆输送到进行分离处理以将晶圆细分断成芯片的切割工序之前,从表面将保护带剥离。
作为从晶圆表面剥离保护带的方法,例如,以如下方式实施。将晶圆的粘贴有保护带的表面朝上而将晶圆吸附保持于工作台。利用粘贴辊将剥离用的粘合带粘贴于保护带上。之后,利用边缘构件将粘合带翻转剥离,从而将粘接于粘合带的保护带与粘合带一体地从晶圆表面剥离(参照日本国特开2002ー124494号公报)。
近年来,为了能够实现伴随着应用而快速进步的高密度安装,要求晶圆的薄型化。另外,存在晶圆薄型化的同时晶圆的尺寸变大的倾向。伴随着晶圆的大型化,用于保持的工作台也需要大型化至晶圆以上。
然而,存在在晶圆表面侧具有少量凹凸的情况和伴随着大型化而难以调整保持台的平行度的情况。在以没有保持平行度的倾斜状态使粘贴构件水平下降而一边按压剥离带一边将剥离带粘贴在保护带上的情况下,该粘贴构件会一端抵接于剥离带。另外,还存在剥离带被粘贴于略微偏离目标的粘贴位置的情况。
因此,在发生一端抵接于剥离带的情况下,有时会造成剥离带没有与保护带贴紧而不能将剥离带与保护带一体地剥离的剥离错误。另外,也有可能因一端抵接而使按压偏于晶圆,从而使晶圆破损。
另外,一旦剥离带的粘贴位置开始偏移,则偏移宽度会变大,从而不能将剥离带粘贴于目标的粘贴位置。因此,不能形成剥离起点而会造成剥离错误。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出的,其主要目的在于提供一种能够将剥离带高精度地粘贴在半导体晶圆表面的保护带上并将保护带从半导体晶圆高精度地剥离的保护带剥离方法和保护带剥离装置。
本发明为了达到上述目的而采用如下的构造。
即,本发明提供一种保护带剥离方法,在该保护带剥离方法中,利用粘贴构件在粘贴于半导体晶圆的表面的保护带上粘贴剥离带,并通过对该剥离带进行剥离而将保护带与剥离带一体地从半导体晶圆的表面剥离,其中,上述保护带剥离方法包括以下的工序:
使上述粘贴构件以与上述剥离带的向上述保护带粘贴的粘贴面的宽度方向的倾斜相一致的方式摆动,并一边保持上述粘贴面与上述粘贴构件的顶端平行的状态一边粘贴该剥离带,
通过剥离该剥离带而将保护带与剥离带一体地从半导体晶圆的表面剥离,
将上述剥离后的保护带卷取在卷取轴上。
采用该保护带剥离方法,在将剥离带粘贴于保护带上的工序中,使粘贴构件以与剥离带的向保护带粘贴的粘贴面的宽度方向的倾斜相一致的方式摆动,保持粘贴面与粘贴构件的顶端平行的状态。故此,能够利用粘贴构件一边对剥离带施加均匀的按压一边将剥离带粘贴在保护带上。因此,由于剥离带贴紧保护带,因此以使保护带追踪剥离动作的方式将保护带从半导体晶圆的表面切实地剥离。另外,由于粘贴构件的按压是均匀的,因此还能够避免因一端抵接而产生的半导体晶圆的破损。
此外,在上述方法中,也可以利用粘贴构件自带粘贴开始端起按压来粘贴剥离带规定距离,按压规定距离以后,在使粘贴构件上升而解除了按压的状态下,从半导体晶圆的表面剥离保护带。
在该情况下,在保护带的表面不规则地倾斜时有效地发挥作用。即,只要仅使保护带的靠剥离开始端侧的一部分贴紧于剥离带而仅形成剥离起点即可,不必频繁地使粘贴构件摆动。
另外,在上述方法中,优选在卷取剥离带的过程中,利用检测器来检测剥离带的蛇行,根据该检测结果来调整粘贴构件的摆动角度,以校正剥离带的蛇行。
通过对在卷起剥离带的过程中的剥离带的蛇行进行校正,能够将剥离带无位置偏移地引导至剥离带的粘贴开始位置。因此,能够将剥离带高精度地粘贴于规定位置而切实地形成剥离起点,进而能够避免剥离错误。
另外,本发明为了达到上述目的而采用如下的构造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造