[发明专利]一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源无效
| 申请号： | 201210576113.7 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103049032A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 黄成;刘昊;江川;乔磊;任亮;关晓龙;胡慧 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 没有 电阻 cmos 基准 电压 | ||
1.一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CMOS带隙基准电压源包括基准电路、电压-电流-电压转换电路，所述基准电路包括启动电路、自偏置配置电路，所述启动电路在工作开始时拉伸自偏置配置电路内的门电压使得自偏置配置电路正常工作，与自偏置配置电路相连的电压-电流-电压转换电路用于转换输入电压再通过晶体管将电流放大后转换为正常输出电压。
2.根据权利要求1所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述电压-电流-电压转换电路包括电压-电流转换电路、电流放大电路、电流-电压转换电路，输入电压经电压-电流转换电路转换后由电流放大电路放大，放大后的电流再经电流-电压转换电路转换为输出电压。
3.根据权利要求2所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，电压-电流-电压电路与自偏置配置电路之间设有晶体管PM3，所述电压-电流-电压电路包括晶体管PM5、PM6、PM7、PM8、NM2、NM3以及二极管D1、D2，晶体管NM2、NM3组成电流镜构成电流放大电路，用于比例复制放大电流，自偏置配置电路的电流流过二极管D1、PM3的电流流过二极管D2。
4.根据权利要求3所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，二极管D1和二极管D2的面积比为10:1。
5.根据权利要求3所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，晶体管PM3的宽长比为晶体管PM1的宽长比的10倍。
6.根据权利要求1所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CMOS带隙基准电压源使用工作在饱和或截止状态MOS晶体管，所述MOS晶体管偏置于饱和区、工作在强反型。
7.根据权利要求1所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CMOS带隙基准电压源通过修改MOS管的宽长比替代修改电阻的比例。
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