[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其在成膜装置中进行，该成膜装置包括：

旋转台，其以能够旋转的方式收容在真空容器内，在其表面具有用于载置多个基板的载置部；

第一气体供给部，其配置于上述旋转台的上述表面的第一处理区域，用于向上述旋转台的上述表面供给反应气体；

第二气体供给部，其配置于沿上述旋转台的周向与上述第一处理区域分开的第二处理区域，用于向上述旋转台的上述表面供给反应气体；

分离区域，其在上述真空容器内设于上述第一处理区域和上述第二处理区域之间，该分离区域包括用于向上述旋转台的上述表面供给分离气体的分离气体供给部，

其中，该成膜方法包括如下步骤：

吸附步骤：一边使上述旋转台旋转，一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离，并且不自上述第二气体供给部供给反应气体，自上述第一气体供给部以规定的期间供给第一反应气体，从而使上述第一反应气体吸附于上述基板之上；

反应步骤：一边使上述旋转台旋转，一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离，并且不自上述第一气体供给部供给反应气体，自上述第二气体供给部以规定的期间供给第二反应气体，使吸附于上述基板之上的上述第一反应气体与上述第二反应气体反应，

从而在上述基板之上形成上述第一反应气体和上述第二反应气体的反应生成物的第一薄膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法还包括接着上述吸附步骤进行的第一非活性气体供给步骤，即，一边使上述旋转台旋转，一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离，并且不自上述第二气体供给部供给反应气体，自上述第一气体供给部以规定的期间供给非活性气体。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法还包括接着上述反应步骤进行的第二非活性气体供给步骤，即，一边使上述旋转台旋转，一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离，并且不自上述第一气体供给部供给反应气体，自上述第二气体供给部以规定的期间供给非活性气体。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法还包括在上述吸附步骤之前进行的如下步骤，即，一边使上述旋转台旋转，一边自上述分离气体供给部供给上述分离气体而将上述第一处理区域和上述第二处理区域分离，自上述第一气体供给部供给第三反应气体，并且自上述第二气体供给部供给第四反应气体，在上述基板之上形成上述第三反应气体和上述第四反应气体的反应生成物的第二薄膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反应气体为含铝的气体，

上述第二反应气体为含氧的气体，

上述第三反应气体为含锆的气体，

上述第四反应气体为含氧的气体。

6.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反应气体为含铝的有机金属原料的气体，

上述第二反应气体为氧气或臭氧气体，

上述第三反应气体为含锆的有机金属原料的气体，

上述第四反应气体为氧气或臭氧气体。

7.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反应气体包括添加于上述第二薄膜的原子。

8.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法反复进行如下处理：每次在使上述旋转台旋转M次的期间内进行用于形成上述第二薄膜的步骤，在使上述旋转台旋转N次的期间内进行上述吸附步骤，并且接着进行上述反应步骤，其中，N＜M。

9.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第二薄膜为高电容率膜，

上述第一薄膜包括添加于上述高电容率膜的原子。

10.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第二薄膜为ZrO膜，

上述第一薄膜包括添加于上述ZrO膜的Al。