[发明专利]闪存存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元的制备方法，包括在衬底上形成栅极结构及在所述栅极结构之间形成接触窗（70），其特征在于，所述接触窗的制备包括以下步骤：

在所述具有所述栅极结构的所述衬底上沉积形成夹层介电层（50）及光刻胶；

以所述光刻胶为掩膜刻蚀所述栅极结构之间的所述夹层介电层（50）至第一高度位置，并使所述栅极结构之间残留有部分所述夹层介电层（50）；

然后沉积形成隔离层（60）；

刻蚀去除所述栅极结构之间的隔离层（60）及残留的所述夹层介电层（50）；以及

在所述栅极结构之间填充导电材料形成所述接触窗（70）。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括中心结构及设置在所述中心结构两侧的侧壁层（40），所述中心结构包括从下至上依次设置在所述衬底上的浮栅（10）、绝缘层（20）、及控制栅（30），所述第一高度位置位于所述控制栅（30）下表面所在的水平面以下。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层（60）通过沉积介电材料形成。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述介电材料为氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层（60）的厚度为100~200埃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层（60）通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉淀、和/或高密度等离子化学气相沉淀形成。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述接触窗（70）的导电材料为钨。

8.一种闪存存储单元，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极结构以及设置在所述栅极结构之间的接触窗（70），其中，所述栅极结构包括中心结构及设置在所述中心结构两侧的侧壁层（40），所述中心结构包括从下至上依次设置在所述衬底上的浮栅（10）、绝缘层（20）、及控制栅（30），其特征在于，侧壁层（40）对应所述控制栅（30）的外侧设置有隔离层（60）。

9.根据权利要求8所述的闪存存储单元，其特征在于，所述隔离层（60）由介电材料形成。

10.根据权利要求9所述的闪存存储单元，其特征在于，所述介电材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求8所述的闪存存储单元，其特征在于，所述隔离层（60）的厚度为100~200埃。