[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均位于所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料、所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的生长厚度相同。

3.如权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料、所述第一电极和所述第二电极的生长厚度均小于1μm。

4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料、第一电极及所述第二电极的形状均为长方体。

5.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极的材料为下列之一:

Pt、Ti、Al。

6.如权利要求5所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料的材料为下列之一:

TaO、AlO、HfO。

7.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括:

在衬底上淀积电极材料；

对所述电极材料进行刻蚀，生成相互分离且相对设置的第一电极及第二电极；

在所述第一电极和第二电极之间淀积阻变材料；

以第一电极或第二电极为停止层对所述阻变材料进行化学机械抛光，形成阻变存储器，其中，所述阻变材料同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述淀积材料进行刻蚀，具体为:

采用光刻法对所述电极材料进行刻蚀。

9.如权利要求7所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极的材料为下列之一:

Pt、Ti、Al。

10.如权利要求7至9中任意一项权利要求所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料的材料为下列之一:

TaO、AlO、HfO。