[发明专利]用于半导体制造工具的阀净化组件

权利要求书

1.一种用于操作半导体制造装置的方法，所述方法包括：

提供具有侧壁和穿过该侧壁的孔的处理室，其中，所述处理室包括加热元件；

提供包括与所述侧壁形成可拆式密封以关闭所述孔的门的阀组件，其中，所述门包括与所述侧壁形成所述可拆式密封的弹性密封构件，所述弹性密封构件包括O型圈或垫圈；

通过在所述处理室内实施操作来操作所述装置；

在所述操作过程中，将惰性净化气体输送到所述阀组件以防止处理气体对所述O型圈或垫圈的侵害；以及

在所述操作过程中，从所述阀组件排出所述惰性净化气体，其中，所述孔通过所述侧壁的内部外围表面来限定和界定，输送惰性净化气体包括通过在所述外围表面中具有开口的管道输送所述惰性净化气体，排放所述惰性净化气体包括通过在所述外围表面中具有开口的管道排出所述惰性净化气体，其中，通过单个泵经由直接连接至所述处理室的内部的第一排放线段从所述处理室抽吸所述处理气体和经由直接连接至排出所述惰性净化气体的所述管道的第二排放线段从所述孔抽吸所述惰性净化气体，所述单个泵直接连接至所述第一排放线段和所述第二排放线段；

其中，操作所述装置在关闭所述门之后进行，当所述门关闭时，以第一流速提供所述惰性净化气体，当所述门打开时，以第二流速提供所述惰性净化气体，所述第二流速小于所述第一流速。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作包括当关闭所述门并形成所述密封时，将至少一种处理气体输送到所述处理室以及在所述处理室中产生等离子体和电离气体物质中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述操作还包括加热在所述处理室中设置的衬底。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述操作包括化学汽相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述操作包括等离子体蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作包括通过至少将清洁气体输送到所述处理室以及在所述处理室中产生等离子体来清洁所述处理室。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述清洁气体包括NF₃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性净化气体包括N₂、Ar和He中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述排放包括通过设置在所述侧壁内的排放线抽吸所述惰性净化气体。