[发明专利]差分式低噪声并行多频放大器

权利要求书

1.一种差分式低噪声并行多频放大器，其包括一差分放大结构、一多频段低噪声放大器输入输出匹配网络和一电容交叉耦合结构，所述多频段低噪声放大器输入输出匹配网络的输入匹配网络、输出匹配网络分别连接所述差分放大结构的输入端和输出端，所述电容交叉耦合结构与所述差分放大结构相连接；其特征在于：所述差分放大结构包括两组共源共栅放大结构，第一MOS管M1和第二MOS管M2组成一组共源共栅放大结构，第三MOS管M3和第四MOS管M4组成另一组共源共栅放大结构，所述第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的源极连接，所述第三MOS管M3的漏极和第四MOS管M4的源极连接，所述第二MOS管M2的栅极和第四MOS管M4的栅极分别串接第三电阻R3、第四电阻R4后都连接地，所述第一MOS管M1的栅极和第三MOS管M3的栅极为所述差分放大结构的输入端，所述第二MOS管M2的漏极和第四MOS管M4的漏极为所述差分放大结构的输出端，所述第一MOS管M1的源极和第三MOS管M3的源极都接地；所述多频段低噪声放大器输入匹配网络包括第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第七电感L7、第八电感L8、第九电感L9和第十电感L10，所述第七电容C7和第九电感L9并联后与第九电容C9、第七电感L7串接在第一MOS管M1的栅极上，所述第八电容C8和第十电感L10并联后与第十电容C10、第八电感L8串接在第一MOS管M1的栅极上。

2.根据权利要求1所述的差分式低噪声并行多频放大器，其中，所述第一MOS管M1和第三MOS管M3具有相同的沟道长度和宽度，为第一级放大结构，第二MOS管M2和第四MOS管M4具有相同的沟道长度和宽度，为第二级放大结构。

3.根据权利要求2所述的差分式低噪声并行多频放大器，其中，第二MOS管M2的栅极与电源之间串接第三电阻R3，第四MOS管M4的栅极与电源之间串接第四电阻R4。

4.根据权利要求2所述的差分式低噪声并行多频放大器，其中，所述多频段低噪声放大器输出匹配网络包括第一电感 L1、第二电感 L2、第三电感 L3、第四电感 L4、第十一电感 L11、第十二电感 L12、第一电容 C1、第二电容 C2、第三电容 C3、第四电容 C4、第十一电容 C11、第十二电容 C12、第一电阻 R1、第二电阻 R2、第五电阻 R5和第六电阻 R6；所述第一电容C1与第一电感L1并联后，一端与第二MOS管M2的漏极相连，另一端通过第五电阻 R5接地；所述第二电容C2与第二电感L2并联后，一端与第六MOS管M6的漏极相连，另一端通过第六电阻 R6接地；所述第三电感 L3和第一电阻R1串接在第二MOS管M2的漏极与地之间；所述第四电感 L4和第二电阻R2串接在第四 MOS管M4的漏极和地之间；所述第二MOS管M2的漏极串接第十一电感L11和第十一电容C11后连接所述输出端；所述第六MOS管M6的漏极串接第十二电感L12和第十二电容C12后连接所述输出端。