[发明专利]低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线有效

专利信息
申请号: 201210579486.X 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103022727A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 韩国栋;武伟;杜彪 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H01Q21/00 分类号: H01Q21/00;H01Q21/24;H01Q3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050081 河北省石家*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 剖面 动中通 收发 共用 有源 相控阵 天线
【权利要求书】:

1.低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,包括双极化天线单元(1)、方位面馈电网络(2)、双工器(3)、小型化T/R组件(4)、射频电缆(5)和俯仰面微带功分网络(6),双极化天线单元(1)依次通过方位面馈电网络(2)、双工器(3)、小型化T/R组件(4)、射频电缆(5)和俯仰面微带功分网络(6)进行连接,其特征在于:双极化天线单元(1)辐射口面的中心轴线与水平面呈20°至40°的向上夹角,多个双极化天线单元(1)在每一行上按照统一高度进行排列,相邻两行双极化天线单元(1)的辐射口面外壁相接,上面一行的双极化天线单元(1)辐射口面沿下面一行的双极化天线单元(1)口面的上侧壁向下方位移一定距离。

2.根据权利要求1所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的双极化天线单元(1)包括辐射口面(1-3)、主波导(1-4)、垂直极化波导(1-2)和水平极化波导(1-1);主波导(1-4)的上端与辐射口面(1-3)相连,主波导(1-4)的下端与垂直极化波导(1-2)相连;水平极化波导(1-1)通过设置在主波导(1-4)侧壁的耦合缝隙与主波导(1-4)相连通。

3.根据权利要求1或2所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的方位面馈电网络(2)为扁波导双通道方位面馈电网络,扁波导内腔分为上下两层,两层之间为金属化隔板,上层为水平极化通道的功分网络,下层为垂直极化通道的功分网络。

4.根据权利要求3所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:双工器(3)为扁波导双通道的双工器,扁波导内腔分为上下两层,每一层实现一路极化信号的频率双工,其中上层为水平极化通道,下层为垂直极化通道。

5.根据权利要求4所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的小型化T/R组件(4)包括小型化接收组件(4-1)和小型化发射组件(4-2);其中小型化接收组件(4-1)的输入端口(15)为上下两层扁波导端口,上层为水平极化信号端口,下层为垂直极化信号端口,其输出端口(14)为一路SMA接头的射频信号接口;其中小型化发射组件(4-2)的输入端口(18)为一路SMA接头的射频信号接口,其输出端口(17)分为上下两层扁波导端口,上层为水平极化信号端口,下层为垂直极化信号端口。

6.根据权利要求2所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:辐射口面(1-3)的尺寸为0.75至0.93倍波长,主波导(1-4)的截面尺寸为0.55至0.65倍波长;垂直极化通道(1-2)和水平极化通道(1-1)馈电端口宽边尺寸为0.63至0.78倍波长,窄边尺寸0.15至0.2倍波长。

7.根据权利要求2所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的扁波导双通道的方位面馈电网络(2)为实现两个极化馈电的H-T双层波导槽洗结构,每一层均为1:N的波导功分器;双通道总口的宽边尺寸均为0.63至0.78倍波长;窄边尺寸均为0.15至0.2倍波长,上层水平极化通道的分口(12)的馈电端口宽边尺寸均为0.63至0.78倍波长,窄边尺寸均为0.15至0.2倍波长,下层垂直极化通道的分口(13)的馈电端口宽边尺寸为0.55至0.65倍波长,窄边尺寸0.15至0.2倍波长;方位面馈电网络(2)的厚度为0.47至0.56倍的波长。

8.根据权利要求3所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的扁波导双通道的小型化双工器(3)收发通道的总口和分口厚度均为0.47至0.56倍的波长,长度均为10.2至12.3倍的波长。

9.根据权利要求4所述的低剖面动中通收发共用一维有源相控阵天线,其特征在于:所述的小型化T/R组件中接收组件的输入端口(15)的尺寸,其宽边均为0.63至0.78倍波长,窄边尺寸均为0.15至0.2倍波长;所述的小型化T/R组件中发射组件的输入端口(17)的尺寸,其宽边均为0.63至0.78倍波长,窄边尺寸均为0.15至0.2倍波长。

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