[发明专利]制造光刻掩模的方法有效
| 申请号： | 201210580668.9 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103365069A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林云跃;李信昌;陈嘉仁;连大成;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 光刻 方法 | ||
1.一种制造光刻掩模的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成不透明层；
在所述不透明层上形成光刻胶层；
形成与所述光刻胶层相邻的碳基电荷消散(CBCD)层；
通过电子束光刻图案化所述光刻胶层；
去除所述CBCD层；以及
蚀刻所述不透明层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述CBCD层包括选自由石墨烯、石墨和非晶碳所组成的组中的材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述CBCD层包括碳基材料的同分异构物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述CBCD层包括迁移率大于0.01cm2/V.s的材料。
5.一种制造光刻掩模的方法，所述方法可基于透射式光刻掩模及反射式光刻掩模而设计，其中：
若光刻掩模为反射式光刻掩模，所述方法包括：
在衬底的第一表面涂覆导电的氮化铬(CrN)层；
在所述衬底的第二相对表面提供多层反射层(ML)；
在所述ML上形成不透明层；
在所述不透明层上形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上方或下方形成碳基电荷消散(CBCD)层；
对所述光刻胶层实施电子束写入；
去除所述CBCD层和光刻胶层；以及
蚀刻所述不透明层；
若光刻掩模为透射式光刻掩模，所述方法包括：
在所述衬底上形成不透明层；
在所述不透明层上形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上方或下方形成碳基电荷消散(CBCD)层；
对所述光刻胶层实施电子束写入；
去除所述CBCD层和光刻胶层；以及
蚀刻所述不透明层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述CBCD层包括选自石墨，石墨烯和非晶碳所组成的组中的一种或多种材料。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述CBCD层包括迁移率大于0.01cm2/V.s的材料。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，通过光刻胶显影技术去除所述CBCD层位于被溶解的光刻胶部分下方的部分，或者，通过光刻胶显影技术去除所述CBCD层位于被溶解的光刻胶部分上方的部分。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，通过光刻胶剥离工艺去除所述CBCD层的剩余部分。
10.一种制造光刻掩模的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成不透明层；
在所述不透明层上形成碳基电荷消散(CBCD)层；
在所述CBCD层上方或下方形成光刻胶层；
通过电子束光刻图案化所述光刻胶层；
在电子束曝照后，对所述光刻胶进行显影，其中所述CBCD的一部分被显影液洗去；
蚀刻所述不透明层以形成图案化掩模；以及
在蚀刻之后，去除图案化的光刻胶和所述CBCD层的剩余部分。
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