[发明专利]控制系统及其控制方法

权利要求书

1.一种控制系统，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制系统包括：

探测单元，用于探测所述反应腔内的气体信息；

参数设定单元，用于基于所述气体信息设定控制参数；

控制单元，与所述参数设定单元相连，所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。

2.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于：所述参数设定单元包括：

参数存放单元，用于存放气体信息与控制参数的对应关系；

参数选择单元，分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连，所述参数选择单元基于所述气体信息通过查找所述参数存放单元确定所述控制参数。

3.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于：所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、流量、流速和压力中的一种或几种。

4.如权利要求3所述的控制系统，其特征在于：所述半导体加工设备为LED外延片外延设备，所述气体包括氨气和氢气混合气体、氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体。

5.如权利要求3所述的控制系统，其特征在于：所述半导体加工设备具有向所述反应腔输送气体的进气管路和排除气体的出气管路，所述探测单元与所述进气管路或出气管路相连，或设置于所述进气管路或出气管路之中，以探测所述气体信息。

6.如权利要求1至5中任一项所述的控制系统，其特征在于：所述控制单元为比例-积分-微分控制器，所述控制参数包括所述比例-积分-微分控制器的比例常数、积分常数和微分常数。

7.如权利要求1所述的控制系统，其特征在于：所述半导体加工设备为沉积设备、刻蚀设备或离子注入设备。

8.一种控制方法，用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或/和衬底进行加热，所述控制方法包括：

提供一探测单元，所述探测单元探测所述反应腔内的气体信息，并输出一气体信息信号；

提供一参数设定单元，所述参数设定单元接收所述气体信息信号，根据所述气体信息信号输出一控制参数信号；

提供一控制单元，所述控制单元接收所述控制参数信号，并根据所述控制参数信号控制加热单元对所述托盘或/和衬底进行加热。

9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述参数设定单元包括：

参数存放单元，用于存放气体信息与控制参数的对应关系；

参数选择单元，分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连，所述参数选择单元接收所述气体信息信号，根据所述气体信息信号从所述参数存放单元中选择出与所述气体信息信号对应的控制参数，所述参数选择单元根据所述控制参数输出所述控制参数信号。

10.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、流量、流速和压力中的一种或几种。

11.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半导体加工设备为LED外延片外延设备，所述气体包括氨气和氢气混合气体、氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体。

12.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于：所述半导体加工设备具有向所述反应腔输送气体的进气管路和排除气体的出气管路，所述探测单元与所述进气管路或出气管路相连，或设置于所述进气管路或出气管路之中，以探测所述气体信息。

13.如权利要求8至12中任一项所述的控制方法，其特征在于：所述控制单元为比例-积分-微分控制器，所述控制参数包括所述比例-积分-微分控制器的比例常数、积分常数和微分常数。

14.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于：所述半导体加工设备为沉积设备、刻蚀设备或离子注入设备。