[发明专利]衬底支撑结构及沉积装置无效
申请号: | 201210580878.8 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103074673A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 林翔 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12;C30B25/10;C30B29/40 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 结构 沉积 装置 | ||
1.一种衬底支撑结构,用于在沉积III-V族化合物的工艺中支撑衬底,其特征在于:所述衬底支撑结构包括载板,所述载板上具有温度补偿板,所述温度补偿板内具有通孔,所述通孔用于收容衬底,所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层,所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生III-V族化合物外延沉积。
2.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述保护层的材料为二氧化硅或非晶或多晶材料。
3.如权利要求2所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述非晶或多晶材料为非晶或多晶碳化硅。
4.如权利要求2所述的衬底支撑结构,特征在于:所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底或硅衬底。
5.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板的材料的热传导系数为所述衬底的材料的热传导系数的0.5倍以上且2倍以下。
6.如权利要求5所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板的材料与所述衬底的材料相同。
7.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板由多个子块构成,每一所述子块上的所述保护层为一整块。
8.如权利要求7所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板为圆形,所述子块以所述温度补偿板的圆心为中心呈扇形排列或同心圆环排列。
9.如权利要求8所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述子块以所述温度补偿板的圆心为中心呈扇形排列,不同子块的厚度相同。
10.如权利要求8所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述子块以所述温度补偿板的圆心为中心呈同心圆环排列,不同子块从圆心沿半径向外厚度增大。
11.如权利要求1至10中任一项所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板通过可拆卸的固定部件固定于所述载板上。
12.如权利要求11所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述温度补偿板下方设置有定位钉或定位空,所述载板的上表面设置有相应的定位孔或定位钉,将所述定位钉插入所述定位孔,以固定所述温度补偿板。
13.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述III-V族化合物为氮化镓。
14.一种沉积装置,包括:可密闭的反应腔、如权利要求1至13中任一项所述的衬底支撑结构、用于向所述衬底供给原料气体的气体供给机构、用于加热所述衬底的加热机构,其中,所述衬底支撑结构设置于所述反应腔内,在所述反应腔内,通过利用所述加热机构经由所述衬底支撑结构加热所述衬底,并在高温状态下供给原料气体,在所述衬底的表面上形成生长膜。
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